Вольт-фарадне профілювання органічно-неорганічних гетероструктур
Дата
2026
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Ця робота присвячена дослідженням органічно-неорганічних гетеропереходів шляхом вольт-фарадного профілювання.
Для проведення досліджень були синтезовані структури на основі пористого кремнію та тонких плівок фталоціанінів металів. Шари пористого кремнію були отримані методом гальванічного травлення на підкладках кристалічного кремнію з питомими опорами 10, 20 та 40 Ом. Для утворення органічних шарів були приготовані розчини фталоціанінів свинцю (PbPc) та міді (CuPc) з диметил-сульфоксидом, та нанесені на кремнієві підкладки шляхом накрапування. Мета досліджень - визначити наявність та дослідити властивості гетеропереходу у структурах шляхом вольт-фарадного профілювання та аналізу характеристик ємності та провідності для отримання розуміння про перебіг зарядових процесів у зразках. Отримані дані також дозволять визначити залежність поведінки зразків від розвиненості поверхні підкладок з пористого кремнію та типів фталоціанінів металів. Загальний обсяг роботи складає 92 сторінки, 37 ілюстрацій, 45 джерел за переліком посилань.
Опис
Ключові слова
органічно-неорганічні гетероструктури, фталоціаніни, металофталоціаніни, фталоціанін свинцю, фталоціанін міді, пористий кремній, гальванічне анодування, вольт-фарадне профілювання, C-V характеристики, профіль концентрації носіїв заряду, organic-inorganic heterostructures, phthalocyanines, metal phthalocyanines, lead phthalocyanine, copper phthalocyanine, porous silicon, electrochemical anodization, volt-farad profiling, C-V characteristics, charge carrier concentration profile
Бібліографічний опис
Зінченко, А. Ю. Вольт-фарадне профілювання органічно-неорганічних гетероструктур : магістерська дис. : 176 Мікро- та наносистемна техніка / Зінченко Андрій Юрійович. – Київ, 2026. – 92 с.