Вольт-фарадне профілювання органічно-неорганічних гетероструктур
| dc.contributor.advisor | Якименко, Юрій Іванович | |
| dc.contributor.author | Зінченко, Андрій Юрійович | |
| dc.date.accessioned | 2026-08-04T12:22:51Z | |
| dc.date.available | 2026-08-04T12:22:51Z | |
| dc.date.issued | 2026 | |
| dc.description.abstract | Ця робота присвячена дослідженням органічно-неорганічних гетеропереходів шляхом вольт-фарадного профілювання. Для проведення досліджень були синтезовані структури на основі пористого кремнію та тонких плівок фталоціанінів металів. Шари пористого кремнію були отримані методом гальванічного травлення на підкладках кристалічного кремнію з питомими опорами 10, 20 та 40 Ом. Для утворення органічних шарів були приготовані розчини фталоціанінів свинцю (PbPc) та міді (CuPc) з диметил-сульфоксидом, та нанесені на кремнієві підкладки шляхом накрапування. Мета досліджень - визначити наявність та дослідити властивості гетеропереходу у структурах шляхом вольт-фарадного профілювання та аналізу характеристик ємності та провідності для отримання розуміння про перебіг зарядових процесів у зразках. Отримані дані також дозволять визначити залежність поведінки зразків від розвиненості поверхні підкладок з пористого кремнію та типів фталоціанінів металів. Загальний обсяг роботи складає 92 сторінки, 37 ілюстрацій, 45 джерел за переліком посилань. | |
| dc.description.abstractother | This work is devoted to the study of organic-inorganic heterojunctions using C-V profiling. For the studies, structures based on porous silicon and thin films of metal phthalocyanines were synthesized. The porous silicon layers were obtained by electrochemical etching on crystalline silicon substrates with specific resistances of 10, 20, and 40 Ω. To form the organic layers, solutions of lead phthalocyanine (PbPc) and copper phthalocyanine (CuPc) in dimethyl-sulfoxide were prepared and deposited onto the silicon substrates by drop-casting. The aim of the research is to determine the presence and investigate the properties of heterojunctions in the structures through volt-farad profiling and analysis of capacitance and conductivity characteristics to gain an understanding of the course of charge transport processes in the samples. The obtained data will also allow determining the dependence of the samples’ behavior on the surface roughness of the porous silicon substrates and the types of metal phthalocyanines. The total volume of the work is 92 pages, 37 figures, and 45 references. | |
| dc.format.extent | 92 с. | |
| dc.identifier.citation | Зінченко, А. Ю. Вольт-фарадне профілювання органічно-неорганічних гетероструктур : магістерська дис. : 176 Мікро- та наносистемна техніка / Зінченко Андрій Юрійович. – Київ, 2026. – 92 с. | |
| dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/82350 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | КПІ ім. Ігоря Сікорського | |
| dc.publisher.place | Київ | |
| dc.subject | органічно-неорганічні гетероструктури | |
| dc.subject | фталоціаніни | |
| dc.subject | металофталоціаніни | |
| dc.subject | фталоціанін свинцю | |
| dc.subject | фталоціанін міді | |
| dc.subject | пористий кремній | |
| dc.subject | гальванічне анодування | |
| dc.subject | вольт-фарадне профілювання | |
| dc.subject | C-V характеристики | |
| dc.subject | профіль концентрації носіїв заряду | |
| dc.subject | organic-inorganic heterostructures | |
| dc.subject | phthalocyanines | |
| dc.subject | metal phthalocyanines | |
| dc.subject | lead phthalocyanine | |
| dc.subject | copper phthalocyanine | |
| dc.subject | porous silicon | |
| dc.subject | electrochemical anodization | |
| dc.subject | volt-farad profiling | |
| dc.subject | C-V characteristics | |
| dc.subject | charge carrier concentration profile | |
| dc.subject.udc | 621.315.592:539.143 | |
| dc.title | Вольт-фарадне профілювання органічно-неорганічних гетероструктур | |
| dc.type | Master Thesis |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Zinchenko_magistr.pdf
- Розмір:
- 4.11 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 8.98 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: