Формування функціональних наноструктур на діелектричних поверхнях термічним випаровуванням у вакуумі
dc.contributor.author | Антонюк, В. С. | |
dc.contributor.author | Храпатий, С. В. | |
dc.contributor.author | Білокінь, С. О. | |
dc.contributor.author | Андрієнко, В. О. | |
dc.contributor.author | Antonjuk, V. | |
dc.contributor.author | Hrapatij, S. | |
dc.contributor.author | Bilokin, S. | |
dc.contributor.author | Andrienko, V. | |
dc.date.accessioned | 2016-05-16T13:14:13Z | |
dc.date.available | 2016-05-16T13:14:13Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.description.abstracten | Purpose. Determination of terms of forming of layer functional nanostructures is by causing on the dielectric surfaces of nanometrical coverages of SiO₂, C, TiO₂ and forming of its nanostructures by the combined method of thermal and vacuum evaporation; application of method of raster electronic and atomic-force microscopy is for research of remaining inequalities and state of surface of functional nanostructures in the process of its exploitation. Design/methodology/approach. The feature of the combined method offered in-process is realization of its in one technological loop the "thermal and vacuum besieging is cathode-ray modification of coverage" at the unchanging terms of working environment (p = 5.10⁻⁵ Pa) that eliminates formation of compounds of coverage, at co-operating with the elements of environment on the intermediate stage of forming of nanostructure. Remaining inequalities and state of surfaces of functional nanostructures are investigational the methods of raster electronic and atomic-force microscopy in the process of its exploitation in the conditions of aggressive environments. Findings. Set terms of forming of layer nanometrical coverages of SiO₂, C, TiO₂ on dielectric surfaces with further creation on its of nanostructures by the combined method of thermal and vacuum evaporation. Originality/value. It is shown that forming of functional nanostructures on dielectric surfaces in a vacuum allows thermal evaporation to improve microgeometry of its surfaces, decrease remaining porosity coverages and to provide its hydrophobic, what to promote in 1,5…2 times its wearproofness and on 15…22% - adhesion strength. | uk |
dc.description.abstractru | Установлены условия формирования послойных нанометрических покрытий SiO₂, C, TiO₂ на диэлектрических поверхностях с дальнейшим созданием на них наноструктур комбинированным методом термовакуумного испарения. Методами растровой электронной и атомно-силовой микроскопии исследованы остаточные микронеровности и состояние поверхностей функциональных наноструктур в процессе их эксплуатации в условиях агрессивных сред. Показано, что формирование функциональных наноструктур на диэлектрических поверхностях термическим испарением в вакууме позволяет улучшить микрогеометрию этих поверхностей, уменьшить остаточную пористость покрытий и обеспечить их гидрофобность, чем повысить в 1,5…2 раза их износостойкость и на 15…22% - адгезионную прочность. | uk |
dc.description.abstractuk | Встановлені умови формування пошарових нанометричних покриттів SiO₂, C, TiO₂ на діелектричні поверхні з подальшим створенням на них наноструктур комбінованим методом термовакуумного випаровування. Методами растрової електронної та атомно-силової мікроскопії досліджені залишкові мікронерівності та стан поверхонь функціональних наноструктур в процесі їх експлуатації в умовах агресивних середовищ. Показано, що формування функціональних наноструктур на діелектричних поверхнях термічним випаровуванням у вакуумі дозволяє покращити мікрогеометрію цих поверхонь, зменшити залишкову поруватість покриттів та забезпечити їх гідрофобність, чим підвищити у 1,5…2 рази їх зносостійкість та на 15…22% - адгезійну міцність. | uk |
dc.format.pagerange | С. 31-35 | uk |
dc.identifier.citation | Формування функціональних наноструктур на діелектричних поверхнях термічним випаровуванням у вакуумі / Антонюк В. С., Храпатий С. В., Білокінь С. О., Андрієнко В. О. // Вісник НТУУ «КПІ». Машинобудування : збірник наукових праць. – 2014. – № 1(70). – С. 31–35. – Бібліогр.: 9 назв. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/15719 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | НТУУ "КПІ" | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.source.name | Вісник НТУУ «КПІ». Машинобудування: збірник наукових праць | uk |
dc.status.pub | published | uk |
dc.subject | наноструктура | uk |
dc.subject | функціональне покриття | uk |
dc.subject | діелектрична поверхня | uk |
dc.subject | термовакуумне випаровування | uk |
dc.subject | атомно-силова мікроскопія | uk |
dc.subject | nanostructure | uk |
dc.subject | functional coverage | uk |
dc.subject | dielectric surface | uk |
dc.subject | thermal and vacuum evaporation | uk |
dc.subject | atomic-force microscopy | uk |
dc.subject | функциональное покрытие | uk |
dc.subject | диэлектрическая поверхность | uk |
dc.subject | термовакуумное испарение | uk |
dc.subject | атомно-силовая микроскопия | uk |
dc.subject.udc | 537.9 | uk |
dc.title | Формування функціональних наноструктур на діелектричних поверхнях термічним випаровуванням у вакуумі | uk |
dc.title.alternative | Forming of the functional nanostructures on dielectric surfaces by thermal evaporation in vacuum | uk |
dc.type | Article | uk |
thesis.degree.level | - | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 7.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: