Тепловий аналіз низькорозмірних транзисторних структур
Вантажиться...
Дата
2020
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єктом розгляду є тепловий аналіз у низькорозмірних транзисторних структурах. Предметом роботи є дослідження розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах шляхом математичного моделювання.
Метою роботи є оцінка теплових параметрів низькорозмірних транзисторних структур на основі А3В5, це дозволяє підвищити якість і надійність роботи низькорозмірних транзисторних структур на етапі розробки та знизити витрати на виробництво та випробування.
Перший розділ присвячено основним особливостям низькорозмірних транзисторних структур, у цьому розділі розглядаються низькорозмірні структури, наноструктури, гетероструктури та їх властивості.
У другому розділі розглядаються різноманітні методи теплового аналізу транзисторних структур: аналітичні, чисельні, еквівалентні, експериментальні та аналітико-експериментальні методи. Описано переваги та недоліки методів.
У третьому розділі розробляється математична модель, алгоритм розрахунку транзисторної структури, моделюються розподіли температури низькорозмірної транзисторної структури за різних параметрів, матеріалів.
Опис
Ключові слова
низькорозмірні транзисторні структури, методи теплового аналізу, розподіл поля, low-dimensional transistor structures, methods of thermal analysis, field distribution
Бібліографічний опис
Суміна, А. М. Тепловий аналіз низькорозмірних транзисторних структур : дипломна робота ... бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Суміна Аліна Миколаївна. – Київ, 2020. – 52 с.