Тепловий аналіз низькорозмірних транзисторних структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorСеменовська, Олена Володимирівна
dc.contributor.authorСуміна, Аліна Миколаївна
dc.date.accessioned2021-03-23T09:26:35Z
dc.date.available2021-03-23T09:26:35Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractenThe modern world is hard to imagine without transistors. They are used in almost every field of electronics, from radios and televisions to cars, smartphones and computers. The correctness, stability and reliability of electronic equipment is determined by its temperature. Overheating of the semiconductor device leads to the impossibility of its proper functioning, to a reduction in service life, and in some cases even to failure. Constant miniaturization leads to an increase in the degree of integration, a decrease in the geometric dimensions of semiconductor devices and an increase in the amount of heat dissipated. Therefore, the task of heat dissipation and control of thermal properties of the structure becomes especially important and urgent. Effective heat dissipation from the core of powerful semiconductor devices is a difficult task. This necessitates the control and detailed analysis of heat fluxes in semiconductor devices. In addition to the problems of heat dissipation on the spatial scale of the crystal with a decrease in geometric dimensions, there is another serious problem associated with changes in the nature of heat transfer inside low-dimensional structures. From the standpoint of heat transfer, rather long conductors are characterized by the fact that their dimensions in all three dimensions are much larger than the free path length of particles inside the substance. Under these conditions, the Fourier law and the thermal conductivity equation are valid. As the length of the conduction channel decreases, the physical nature of electronic transport changes qualitatively. For long conductors, the transport is diffusion with a trajectory reminiscent of random walks. If the length of the conduction channel becomes less than the average free path length, then the transport of electrons goes into ballistic transfer mode. At even shorter lengths of the conduction channel, the wave nature of electrons begins to manifest itself in the form of quantum effects: interference, tunneling. Therefore, the task of the thesis is relevant and consists in the thermal analysis of low-dimensional transistor structures. The object of consideration is thermal analysis in low-dimensional transistor structures. The subject of the work is the study of temperature distribution in low-dimensional transistor structures by mathematical modeling. The aim of the work is to evaluate the thermal parameters of low-dimensional transistor structures based on А3В5, it allows to increase the quality and reliability of low-dimensional transistor structures at the development stage and reduce production and testing costs. The first section is devoted to the main features of low-dimensional transistor structures, in this section low-dimensional structures, nanostructures, heterostructures and their properties are considered. The second section considers various methods of thermal analysis of transistor structures: analytical, numerical, equivalent, experimental and analytical-experimental methods. The advantages and disadvantages of the methods are described. In the third section the mathematical model, algorithm of calculation of transistor structure is developed, temperature distributions of low-dimensional transistor structure on various parameters, materials are modeled.uk
dc.description.abstractukОб’єктом розгляду є тепловий аналіз у низькорозмірних транзисторних структурах. Предметом роботи є дослідження розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах шляхом математичного моделювання. Метою роботи є оцінка теплових параметрів низькорозмірних транзисторних структур на основі А3В5, це дозволяє підвищити якість і надійність роботи низькорозмірних транзисторних структур на етапі розробки та знизити витрати на виробництво та випробування. Перший розділ присвячено основним особливостям низькорозмірних транзисторних структур, у цьому розділі розглядаються низькорозмірні структури, наноструктури, гетероструктури та їх властивості. У другому розділі розглядаються різноманітні методи теплового аналізу транзисторних структур: аналітичні, чисельні, еквівалентні, експериментальні та аналітико-експериментальні методи. Описано переваги та недоліки методів. У третьому розділі розробляється математична модель, алгоритм розрахунку транзисторної структури, моделюються розподіли температури низькорозмірної транзисторної структури за різних параметрів, матеріалів.uk
dc.format.page52 с.uk
dc.identifier.citationСуміна, А. М. Тепловий аналіз низькорозмірних транзисторних структур : дипломна робота ... бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Суміна Аліна Миколаївна. – Київ, 2020. – 52 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/40160
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectнизькорозмірні транзисторні структуриuk
dc.subjectметоди теплового аналізуuk
dc.subjectрозподіл поляuk
dc.subjectlow-dimensional transistor structuresuk
dc.subjectmethods of thermal analysisuk
dc.subjectfield distributionuk
dc.titleТепловий аналіз низькорозмірних транзисторних структурuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Sumina_bakalavr.pdf
Розмір:
1.58 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.01 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (ЕІ)
Бакалаврські роботи