Нелінійна зміна H21E NPN-структур з діелектричною ізоляцією, виготовлених на SIGЕ з різною концентрацією ізовалентної домішки
Вантажиться...
Дата
2020
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Опис
Ключові слова
планарна npn структура, іонізуюче випромінювання, кремній, легований германієм, planar npn structure, ionizing radiation, germanium-doped silicon
Бібліографічний опис
Биткін, С. В. Нелінійна зміна H21E NPN-структур з діелектричною ізоляцією, виготовлених на SIGЕ з різною концентрацією ізовалентної домішки / Биткін С. В., Критська Т. В. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 16-22 листопада 2020 р., м. Київ, Україна / КПІ ім. Ігоря Сікорського, РТФ. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020. – С. 142-144.