Нелінійна зміна H21E NPN-структур з діелектричною ізоляцією, виготовлених на SIGЕ з різною концентрацією ізовалентної домішки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБиткін, С. В.
dc.contributor.authorКритська, Т. В.
dc.date.accessioned2022-10-20T12:55:13Z
dc.date.available2022-10-20T12:55:13Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractenWe show that the degradation of the amplifying properties of planar npn structures under the action of ionizing radiation depends nonmonotonically on the content of the isovalent dopant (Ge) in the initial silicon wafers.uk
dc.description.abstractukПоказано, що деградація підсилюючих властивостей планарних npn структур при дії іонізуючого випромінювання немонотонно залежить від змісту легуючої ізовалент-ної домішки (Ge) в початкових пластинах кремнію.uk
dc.format.pagerangeС. 142-144uk
dc.identifier.citationБиткін, С. В. Нелінійна зміна H21E NPN-структур з діелектричною ізоляцією, виготовлених на SIGЕ з різною концентрацією ізовалентної домішки / Биткін С. В., Критська Т. В. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 16-22 листопада 2020 р., м. Київ, Україна / КПІ ім. Ігоря Сікорського, РТФ. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020. – С. 142-144.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/50475
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceМіжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 16-22 листопада 2020 р., м. Київ, Українаuk
dc.subjectпланарна npn структураuk
dc.subjectіонізуюче випромінюванняuk
dc.subjectкремнійuk
dc.subjectлегований германіємuk
dc.subjectplanar npn structureuk
dc.subjectionizing radiationuk
dc.subjectgermanium-doped siliconuk
dc.titleНелінійна зміна H21E NPN-структур з діелектричною ізоляцією, виготовлених на SIGЕ з різною концентрацією ізовалентної домішкиuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
RTPSAS_2020_s4_t05.pdf
Розмір:
1.52 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Секція 4. Електроніка, нанотехнології, біомедичні системи, радіовимірювання