Моделювання процесу росту тонких плівок GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorГільчук, Андрій Володимирович
dc.contributor.authorСіряк, Тетяна Вікторівна
dc.date.accessioned2026-03-19T12:53:55Z
dc.date.available2026-03-19T12:53:55Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractПояснювальна записка дипломної роботи за обсягом становить 53 сторінки, містить 26 рисунків. Для дослідження було використано 17 бібліографічних найменувань. Метою роботи є дослiдження стацiонарної задачi для моделювання процесiв росту тонких напiвпровiдникових плiвок, в особливостi GaAs; встановлення залежностi швидкостi росту вiд таких параметрiв як, швидкiсть нанесення, концентрація речовин, температура, тиск, та товщина. Встановити оптимальні параметри необхіді для отримання кращої якості плівки. Порівняти два запропонованих методи для подальшого вдосконалення технології. Предметом дослідження є набір параметрів системи робочого реактора, що визначаються для методів LP-MOCVD та PE-CVD. Виконане моделювання методів вирощування тонких плівок LP-MOCVD та PE-CVD за допомогою програмного забезпечення COMSOL Multuphysics. У ході аналізу результатів було з’ясовано, що дане моделювання є доцільним для використання в промисловості, оскільки отримані дані було верифіковано з реальнию установкою. Було досліджено параметри, значення яких дають найвищий показник швидкості росту плівки GaAs. Встановлено, що метод LP-MOCVD має обмежений діапазон температур, за яких буде досягатись найвище значення швидкості росту тонкої плівки. Аналіз результатів моделювання методів LP-MOCVD та PE-CVD допомагає зрозуміти взаємозв’язок між параметрами системи та швидкістю росту плівки. Це важлива інформація для покращення та оптимізації виробничих процесів, пов’язаних з депозицією плівок методами LP-MOCVD та PE-CVD.
dc.description.abstractotherThe diploma work explanatory note includes 53 pages of the text, and 26 illustrations. At the problem modern state analysis, overall 17 references were used. The objective of this study is to investigate the stationary problem for modeling the growth processes of thin semiconductor films, particularly GaAs, and to determine the dependence of the growth rate on parameters such as deposition rate, substance concentration, temperature, pressure, and thickness. The aim is to establish the optimal parameters required to obtain the best film quality and compare two proposed methods for further technology improvement. The research subject is a set of parameters of the working reactor system, which are determined for LP-MOCVD and PE-CVD methods. The modeling of two thin film growth methods, namely LP-MOCVD and PE-CVD, was performed using the COMSOL Multiphysics software. The analysis of the results revealed that this modeling is suitable for industrial applications since the obtained data was verified with a real setup. Parameters yielding the highest growth rate for GaAs film were investigated. It was found that the LP-MOCVD method has a limited temperature range for achieving the highest growth rate of the thin film. The analysis of the results of LP-MOCVD and PE-CVD methods modeling helps understand the relationship between system parameters and film growth rate. This is crucial information for improving and optimizing manufacturing processes related to film deposition using LP-MOCVD and PE-CVD methods
dc.format.extent56 с.
dc.identifier.citationСіряк, Т. В. Моделювання процесу росту тонких плівок GaAs : дипломна робота ... бакалавра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Сіряк Тетяна Вікторівна. – Київ, 2023. – 53 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/79624
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectчислове моделювання
dc.subjectтонкі плівки
dc.subjectхімічне осадження
dc.subjectкінетика
dc.subjectLP-MOCVD
dc.subjectPE-CVD
dc.subjectарсенід галію
dc.subjectсонячний елемент
dc.subjectnumerical modeling
dc.subjectthin films
dc.subjectchemical deposition
dc.subjectkinetics
dc.subjectgallium arsenide
dc.subjectsolar cell
dc.titleМоделювання процесу росту тонких плівок GaAs
dc.typeBachelor Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Siryak_bakalavr.pdf
Розмір:
1.59 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (ПФ)
Бакалаврські роботи