Дослідження рухливості електронів в антимоніді галію
Вантажиться...
Дата
2025
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Антимонід галію (GaSb) — це напівпровідниковий матеріал з групи AIIIBV, який привертає увагу завдяки своїм унікальним властивостям, таким як вузька заборонена зона і висока рухливість носіїв заряду. Дослідження показують, що GaSb підходить для створення фотодетекторів, лазерів.
Актуальність теми обумовлена зростаючим попитом на інноваційні матеріали для телекомунікацій, енергетики та оборонної промисловості.
Історично GaSb був вперше синтезований в 1926 році Віктором Гольдшмідтом, який безпосередньо комбінував елементи в інертній атмосфері.
Метою дипломної роботи є проведення дослідження рухливості електронів в антимоніді галію з урахуванням впливу температури, домішкової концентрації та дефектів кристалічної структури. У роботі поєднуються теоретичний аналіз транспортних явищ, заснований на моделях розсіювання електронів та експериментальні результати. Особлива увага приділяється вивченню впливу низькотемпературних умов на рухливість електронів, а також аналізу ролі легуючих домішок у формуванні транспортних властивостей GaSb. Об’єкт дослідження — кристал антимоніду галію GaSb.
Антимонід галію як напівпровідниковий матеріал може мати різні модифікації, які залежать від способів його отримання, введення домішок, створення наноструктур або комбінації з іншими матеріалами. Ці модифікації впливають на фізичні, електричні та оптичні властивості GaSb.
Опис
Ключові слова
антімонід галію, рухливість, розсіювання електронів
Бібліографічний опис
Стасюк, Р. В. Дослідження рухливості електронів в антимоніді галію : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Стасюк Роман Васильович. – Київ, 2025. – 59 с.