Дослідження рухливості електронів в антимоніді галію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorСаурова, Тетяна Асадівна
dc.contributor.authorСтасюк, Роман Васильович
dc.date.accessioned2026-01-16T10:56:08Z
dc.date.available2026-01-16T10:56:08Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractАнтимонід галію (GaSb) — це напівпровідниковий матеріал з групи AIIIBV, який привертає увагу завдяки своїм унікальним властивостям, таким як вузька заборонена зона і висока рухливість носіїв заряду. Дослідження показують, що GaSb підходить для створення фотодетекторів, лазерів. Актуальність теми обумовлена зростаючим попитом на інноваційні матеріали для телекомунікацій, енергетики та оборонної промисловості. Історично GaSb був вперше синтезований в 1926 році Віктором Гольдшмідтом, який безпосередньо комбінував елементи в інертній атмосфері. Метою дипломної роботи є проведення дослідження рухливості електронів в антимоніді галію з урахуванням впливу температури, домішкової концентрації та дефектів кристалічної структури. У роботі поєднуються теоретичний аналіз транспортних явищ, заснований на моделях розсіювання електронів та експериментальні результати. Особлива увага приділяється вивченню впливу низькотемпературних умов на рухливість електронів, а також аналізу ролі легуючих домішок у формуванні транспортних властивостей GaSb. Об’єкт дослідження — кристал антимоніду галію GaSb. Антимонід галію як напівпровідниковий матеріал може мати різні модифікації, які залежать від способів його отримання, введення домішок, створення наноструктур або комбінації з іншими матеріалами. Ці модифікації впливають на фізичні, електричні та оптичні властивості GaSb.
dc.description.abstractotherGallium antimonide (GaSb) is a semiconductor material from group AIIIBV, which attracts attention due to its unique properties, such as a narrow band gap and high charge carrier mobility. Studies show that GaSb is suitable for creating photodetectors, lasers. The relevance of the topic is due to the growing demand for innovative materials for telecommunications, energy and defense industries. Historically, GaSb was first synthesized in 1926 by Viktor Goldschmidt, who directly combined elements in an inert atmosphere. The purpose of the thesis is to conduct a study of electron mobility in gallium antimonide, taking into account the influence of temperature, impurity concentration and defects in the crystal structure. The work combines theoretical analysis of transport phenomena based on electron scattering models and experimental methods. Special attention is paid to the study of the influence of low-temperature conditions on electron mobility, as well as the analysis of the role of doping impurities in the formation of the transport properties of GaSb. The object of the study is the gallium antimonide crystal GaSb. Gallium antimonide as a semiconductor material can have various modifications, which depend on the methods of its production, the introduction of impurities, the creation of nanostructures or the combination with other materials. These modifications affect the physical, electrical and optical properties of GaSb.
dc.format.extent59 с.
dc.identifier.citationСтасюк, Р. В. Дослідження рухливості електронів в антимоніді галію : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Стасюк Роман Васильович. – Київ, 2025. – 59 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/78191
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectантімонід галію
dc.subjectрухливість
dc.subjectрозсіювання електронів
dc.titleДослідження рухливості електронів в антимоніді галію
dc.typeBachelor Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Stasiuk_bakalavr.pdf
Розмір:
1.17 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (ЕІ)
Бакалаврські роботи