Моделювання польового транзистора з каналом на основі вуглецевої нанотрубки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТимофєєв, Володимир Іванович
dc.contributor.authorНовіцька, Анастасія Василівна
dc.date.accessioned2024-07-04T10:23:03Z
dc.date.available2024-07-04T10:23:03Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractТема роботи: Моделювання польового транзистора з каналом на основі вуглецевої нанотрубки. Об’єкт дослідження: польовий транзистор на основі вуглецевої нанотрубки. Предмет дослідження: математичні моделі польового транзистора на основі вуглецевої нанотрубки . Мета роботи: моделювання польового транзистора на основі вуглецевої нанотрубки та аналіз його параметрів та характеристик. Перший розділ містить огляд параметрів вуглецевих нанотрубок, будову вуглецевої нанотрубки та структуру, методи виготовлення нанотрубок та їх застосування. Другий розділ містить відомості про параметри польових нанотранзисторів, аналіз структури та топології польового транзистора на основі вуглецевої нанотрубки, конструкцій та технології виготовлення транзисторів з каналом на основі вуглецевої нанотрубки. У третьому розділі представлено аналіз математичних моделей транзистора з каналом на основі вуглецевої нанотрубки. Наведено рівняння щодо трьох математичних моделей: чисельної, аналітичної фізико-топологічної та аналітичної апроксимаційної моделі. У четвертому розділі наведені результати моделювання та аналізу отриманих результатів моделювання характеристик транзисторів з каналом на основі вуглецевої нанотрубки, проаналізовано вплив фізико-топологічних параметрів структури нанотранзистора на вихідні характеристики.
dc.description.abstractotherWork topic: Modeling of a field-effect transistor with a channel based on a carbon nanotube. The object of research: a field-effect transistor based on a carbon nanotube. The subject of the study: models of field-effect transistors based on carbon nanotubes. The purpose of the work: simulation of a field-effect transistor based on a carbon nanotube and analysis of its parameters. The first chapter contains an overview of the nanotube, the structure of the carbon nanotube and its topology, the methods of making the nanotube and its application. The second chapter contains information about the field-effect transistor, parameters of the field-effect transistor, the structure of the field-effect transistor based on carbon nanotubes, the designs and technology of transistors with a channel based on carbon nanotubes are proposed. The third chapter presents the analysis of mathematical models of a transistor with a channel based on a carbon nanotube. Three models are given: numerical, analytical and approximation model. In the fourth chapter, the simulation results and analysis of the obtained simulation results of the characteristics of transistors with a channel based on carbon nanotubes are presented, and the parameters of the models are analyzed.
dc.format.extent72 с.
dc.identifier.citationНовіцька, А. В. Моделювання польового транзистора з каналом на основі вуглецевої нанотрубки : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Новіцька Анастасія Василівна. – Київ, 2024. – 72 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/67743
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.titleМоделювання польового транзистора з каналом на основі вуглецевої нанотрубки
dc.typeMaster Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Novitska_magistr.pdf
Розмір:
3.19 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (ЕІ)
Магістерські роботи