Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур
dc.contributor.advisor | Борисов, Олександр Васильович | |
dc.contributor.author | Королевич, Любомир Миколайович | |
dc.date.accessioned | 2021-09-17T12:13:31Z | |
dc.date.available | 2021-09-17T12:13:31Z | |
dc.date.issued | 2021 | |
dc.description.abstractuk | Дисертація присвячена розробці фізичних засад вибору діелектрика для МДНструктур з певною напівпровідниковою підкладкою та дослідженню плівок діоксиду церію як альтернативи плівкам діоксиду кремнію. Розроблено загальний критерій вибору діелектрика, в основу якого покладена мінімальна різниця щільності обірваних зв’язків на межі діелектрик-вакуум та на межі напівпровідник-вакуум. Розроблено новий метод опису кристалічної решітки та введено універсальний параметр – середня довжина зв’язку, який характеризує усереднену відстань між складовими кристалічної речовини. В роботі запропонована спрощена методика визначення щільності зарядів на межі діелектрик-напівпровідник за експериментальними вольт-фарадними характеристиками МДН-структур. Експериментально підтверджено можливість заміни діоксиду кремнію діоксидом церію в кремнієвих МДН-структурах. | uk |
dc.format.page | 150 с. | uk |
dc.identifier.citation | Королевич, Л. М. Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур : дис. … канд. техн. наук : 05.27.01 - твердотільна електроніка / Королевич Любомир Миколайович. – Київ, 2021. – 150 с. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/43828 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.subject | МДН-структура | uk |
dc.subject | критерій вибору діелектрика | uk |
dc.subject | high-k | uk |
dc.subject | діелектрик | uk |
dc.subject | питома ємність заслону | uk |
dc.subject | ефективний заряд в діелектрику | uk |
dc.subject | щільність поверхневих станів | uk |
dc.subject | міжвузловий аспект кристалічної решітки | uk |
dc.subject | MIS structure | uk |
dc.subject | insulator choosing criterion | uk |
dc.subject | high-k dielectric | uk |
dc.subject | specific gate capacitance | uk |
dc.subject | effective charge in the dielectric | uk |
dc.subject | surface charge density | uk |
dc.subject | interstitial aspect of crystalline lattice | uk |
dc.subject | МДП-структура | uk |
dc.subject | критерий выбора диэлектрика | uk |
dc.subject | диэлектрик | uk |
dc.subject | удельная емкость затвора | uk |
dc.subject | эффективный заряд в диэлектрике | uk |
dc.subject | плотность поверхностных состояний | uk |
dc.subject | межузловой аспект кристаллической решетки | uk |
dc.subject.udc | 621.382 | uk |
dc.title | Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур | uk |
dc.type | Thesis Doctoral | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Korolevych_dys.pdf
- Розмір:
- 5.43 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.01 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: