МДН-транзистор з субмікрометровою довжиною каналу

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorКоролевич, Любомир Миколайович
dc.contributor.authorЄрьоменко, Ігор Вікторович
dc.date.accessioned2021-07-08T13:39:07Z
dc.date.available2021-07-08T13:39:07Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractenThis work is presented on 53 pages, it contains 5 sections, 28 illustrations, 1 table and 24 sources in the list of references. The object of study is MOSFET with a submicrometer channel length and its design and technological features of implementation. The subject of the work is the comparison of the simulation results of the MOSFET and the SOI MOSFET with gate structure of TiAl/HfO2. The aim of the work is to review the modern designs of MOSFETs and the choice of materials for gate dielectrics and gate. The first section presents application of MOSFETs with a submicrometer channel length. The second section describes short-channel effects and ways to eliminate them. The third section has analysis of the materials for the gate and gate dielectric. The fourth section considers construction design and technological features of MOSFETs with a submicrometer channel length. The fifth section provides simulation methods and compares the current-voltage characteristics of the simulated MOSFETs.uk
dc.description.abstractukРоботу викладено на 53 сторінках, вона містить 5 розділів, 28 ілюстрацій, 1 таблицю та 24 джерела в переліку посилань. Об'єктом дослідження є МДН транзистор из субмікрометровою довжиною каналу та їх конструктивно-технологічні особливості реалізації. Предметом роботи є порівняння результатів моделювання МДН транзистора та КНІ МДН транзистора зі структурою затвору TiAl/HfO2. Метою роботи є огляд сучасних конструкцій МДН транзисторів та вибір матеріалів підзатворних діелектриків та затвору для їх виготовлення. У першому розділі подаються способи застосування МДН транзисторів з субмікрометровою довжиною каналу. У другому розділі описуються коротко-канальні ефекти та способи їх усунення. У третьому розділі проводиться аналіз матеріалів для затвору та підзатворного діелектрика. У четвертому розділі розглядаються конструктивні та технологічні особливості реалізації МДН транзисторів з субмікрометровою довжиною каналу. У п’ятому розділі надаються способи моделювання та проводиться порівняння вольт-амперних характеристик змодельованих МДН транзисторів.uk
dc.format.page53 с.uk
dc.identifier.citationЄрьоменко, І. В. МДН-транзистор з субмікрометровою довжиною каналу : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Єрьоменко Ігор Вікторович. – Київ, 2021. – 53 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/42259
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectМДН транзисторuk
dc.subjectКНІuk
dc.subjecthigh-kuk
dc.subjectFinFETuk
dc.subjectGAAFETuk
dc.subjectMOSFETuk
dc.subjectSOIuk
dc.titleМДН-транзистор з субмікрометровою довжиною каналуuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Yeromenko_bakalavr.pdf
Розмір:
1.22 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.01 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи