Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів берилію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorКоролевич, Любомир Миколайович
dc.contributor.authorБезручко, Марко Валерійович
dc.date.accessioned2019-08-22T15:03:38Z
dc.date.available2019-08-22T15:03:38Z
dc.date.issued2019-06
dc.description.abstractenThe work is presented in 67 pages, it contains 3 sections, 59 illustrations, 6 tables and 19 sources in the list of references. The object of the study was a photosensitive element based on InSb formed with the implantation of beryllium ions. Subject of work - Voltage-ampere characteristics of a photosensitive element, distribution profile of implanted impurities The purpose of this work is to create a photo-sensitive element based on n-InSb, which operates at 77 K, and to improve its technological route. In the first information-analytical section of the work, brief information is provided on InSb-based detectors. The second section describes the main processes of the technological route. In the third section, the process of manufacturing a photodiode is being improved.uk
dc.description.abstractukРоботу викладено на 67 сторінках, вона містить 3 розділів, 59 ілюстрацій, 6 таблиці та 19 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів берилію. Предмет роботи – вольт-амперні характеристики фоточутливого елементу, профіль розподілу імплантованої домішки Метою даної роботи є створення фоточутливого елементу на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення його технологічного маршруту. У першому інформаційно-аналітичному розділі роботи коротко надано відомості про детектори на основі InSb. У другому розділі викладена інформація про основні процеси технологічного маршруту. У третьому розділі удосконалюється процес виготовлення фотодіоду.uk
dc.format.page69 с.uk
dc.identifier.citationБезручко, М. В. Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів берилію : дипломна робота … бакалавра : 6.050801 Мікро- та наноелектроніка / Безручко Марко Валерійович. – Київ, 2019. – 69 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/28845
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.titleФотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів бериліюuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Bezruchko_bakalavr.pdf
Розмір:
3.78 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи