Формування сонячних елементів на текстурованих підкладках монокристалічного кремнію, пасивованих діелектричними шарами

dc.contributor.advisorІващук, Анатолій Васильович
dc.contributor.authorДимченко, Оксана Ігорівна
dc.date.accessioned2019-01-21T11:21:30Z
dc.date.available2019-01-21T11:21:30Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractenThesis posted on 90 ages, it contains chapters 5, 28 illustrations, 23 tables, sources in the list of references. The aim of this work is obtaining an optimal technological path for the formation of a solar cell, research, study of photo-electric parameters of photosensitive structures and their dependence on geometric paramters of nanowires. The aim of the research is development of a technological route for the formation of solar cells on textured substrates of monocrystalline silicon passivated by dielectric layers. The result is obtaining an optimal technological path for the formation of a solar cell, research, study of photo-electric parameters of photosensitive structures and their dependence on geometric paramters of nanowires. Scope: can be used for manufacturing various nanostructures based on Si or Si/Ge. The resulting structures have great potential for application in various fields: energy storage, solar energy conversion, superhydrophobic materials creation, thermal power utilization, chemical and biological sensors. Also, the technology of formation of solar cells can be used at enterprises for the manufacture of panels of solar cells with an increased efficiency.uk
dc.description.abstractukДипломну роботу викладено на 90 сторінках, вона містить 5 розділів, 28 ілюстрацій, 23 таблиць та 64 джерел в переліку посилань. Об’єктом розгляду є фоточутливі структури отримані на пластинах монокристалічного кремнію пірамідально-текстурованих з впорядкованими масивами нанодротів. Метою даної роботи є розробка технологічного маршруту формування сонячних елементів на текстурованих підкладках монокристалічного кремнію, пасивованих діелектричними шарами. Метою досліджень є отримання технологічного маршруту формування сонячного елемента, фото-електричних параметрів фоточутливих структур з впорядкованими масивами нанодротів та дослідження їх залежності від геометричних парметрів нанодротів. Кінцевим результатом роботи є отримання технологічного маршруту формування сонячного елемента на текстурованих підкладках монокристалічного кремнію, пасивованого діелектричними шарами. Галузь застосування: отримані дані можуть використовуватись для виготовлення різних наноструктур на основі Si або Si/Ge. Отримані структури мають великий потенціал для застосування в різних областях: накопичення енергії, перетворення сонячної енергії, створення супергідрофобних матеріалів, використання теплової потужності, хімічні та біологічні сенсори. Також, отримана технологія формування сонячних елементів може використовуватись на підприємствах для виготовлення панелей сонячних елементів з підвищеним коефіцієнтом корисної дії.uk
dc.format.page91 c.uk
dc.identifier.citationДимченко, О. І. Формування сонячних елементів на текстурованих підкладках монокристалічного кремнію, пасивованих діелектричними шарами : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Оксана Ігорівна Димченко. – Київ, 2018. – 91 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/25932
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиівuk
dc.subjectМКХТuk
dc.subjectпірамідальні структуриuk
dc.subjectтекстуруванняuk
dc.subjectнанодротиuk
dc.subjectSEMuk
dc.subjectтравлення поверхніuk
dc.subjectморфологія поверхніuk
dc.subjectмікротекстуруванняuk
dc.subjectФЕПuk
dc.subjectсонячний елементuk
dc.subjectметод скінченних елементівuk
dc.subjectпасиваціяuk
dc.subjectfinal element methoduk
dc.subjectpassivationuk
dc.subjectMecEtchuk
dc.subjectPyramid structuresuk
dc.subjecttextureuk
dc.subjectnanowiresuk
dc.subjectsurface handlinguk
dc.subjectsurface morphologyuk
dc.subjectmicroteksturationuk
dc.subjectPECuk
dc.subjectsolar elementuk
dc.subject.udc669; 621.315; 621.793uk
dc.titleФормування сонячних елементів на текстурованих підкладках монокристалічного кремнію, пасивованих діелектричними шарамиuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Dymchenko_magistr.pdf
Розмір:
2.22 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: