Моделювання польових транзисторних структур на основі графенових нанострічок
Вантажиться...
Дата
2025
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єктом дослідження роботи є транзисторні структури на основі графену.
Метою даної роботи є дослідження електричних характеристик транзисторних структур виготовлених на базі графену, математичне моделювання основних характеристик даних транзисторів.
Завданням дослідження є:
- Аналіз фізичних властивостей графену, важливих для створення транзисторів.
- Огляд конструкцій польових транзисторів на основі графену (GNR FET) та технології виготовлення.
- Побудова аналітичної моделі графенового транзистора та аналіз отриманих результатів.
У першому розділі наведено огляд літературних джерел, присвячених дослідженню графену як матеріалу для виготовлення транзисторів. Розглянуто принцип роботи графенових транзисторів, структура та технологічний процес їх виготовлення. Наведено конструкцію польових транзисторів на основі графену.
У другому розділі наведено підходи до моделювання та представлено удосконалену аналітичну модель для моделювання характеристик транзистора на основі графену. Аналітична модель побудована на використанні апроксимаційних залежностей дрейфової швидкості електронів від напруженості електричного поля.
У третьому розділі наведені результати комп’ютерного моделювання, виконаного за допомогою середовища MathLab. Проаналізовано вольт-амперні характеристики транзистора на основі графену.
Опис
Ключові слова
графенова нанострічка, польовий транзистор, адаптивна рухливість
Бібліографічний опис
Чорноіван, Л. Р. Моделювання польових транзисторних структур на основі графенових нанострічок : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Чорноіван Леонід Романович. – Київ, 2025. – 73 с.