Моделювання польових транзисторних структур на основі графенових нанострічок

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТимофєєв, Володимир Іванович
dc.contributor.authorЧорноіван, Леонід Романович
dc.date.accessioned2026-01-19T12:04:29Z
dc.date.available2026-01-19T12:04:29Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractОб’єктом дослідження роботи є транзисторні структури на основі графену. Метою даної роботи є дослідження електричних характеристик транзисторних структур виготовлених на базі графену, математичне моделювання основних характеристик даних транзисторів. Завданням дослідження є: - Аналіз фізичних властивостей графену, важливих для створення транзисторів. - Огляд конструкцій польових транзисторів на основі графену (GNR FET) та технології виготовлення. - Побудова аналітичної моделі графенового транзистора та аналіз отриманих результатів. У першому розділі наведено огляд літературних джерел, присвячених дослідженню графену як матеріалу для виготовлення транзисторів. Розглянуто принцип роботи графенових транзисторів, структура та технологічний процес їх виготовлення. Наведено конструкцію польових транзисторів на основі графену. У другому розділі наведено підходи до моделювання та представлено удосконалену аналітичну модель для моделювання характеристик транзистора на основі графену. Аналітична модель побудована на використанні апроксимаційних залежностей дрейфової швидкості електронів від напруженості електричного поля. У третьому розділі наведені результати комп’ютерного моделювання, виконаного за допомогою середовища MathLab. Проаналізовано вольт-амперні характеристики транзистора на основі графену.
dc.description.abstractotherThe object of the study is transistor structures based on graphene. The aim of this work is to investigate the electrical characteristics of transistor structures manufactured using graphene and to perform mathematical modeling of their key characteristics. The research objectives are: - Analysis of the physical properties of graphene relevant to transistor fabrication. - Review of the designs of graphene-based field-effect transistors (GNR FET) and their manufacturing technologies. - Development of an analytical model of a graphene transistor and analysis of the obtained results. The first section provides an overview of literature sources dedicated to the study of graphene as a material for transistor fabrication. It discusses the operating principles of graphene transistors, their structure, and the manufacturing process. The design of graphene-based field-effect transistors is presented. The second section presents modeling approaches and presents an improved analytical model for modeling the characteristics of a graphene-based transistor. The analytical model is built on the use of approximate dependences of the electron drift velocity on the electric field strength. The third section presents the results of computer modeling performed using the MathLab environment. The current-voltage characteristics of the graphene-based transistor are analyzed.
dc.format.extent73 с.
dc.identifier.citationЧорноіван, Л. Р. Моделювання польових транзисторних структур на основі графенових нанострічок : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Чорноіван Леонід Романович. – Київ, 2025. – 73 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/78222
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectграфенова нанострічка
dc.subjectпольовий транзистор
dc.subjectадаптивна рухливість
dc.titleМоделювання польових транзисторних структур на основі графенових нанострічок
dc.typeBachelor Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Chornoivan_bakalavr.pdf
Розмір:
2.3 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (ЕІ)
Бакалаврські роботи