Дослідження механізмів розсіювання електронів в антимоніді індію
Вантажиться...
Дата
2026
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Наукові публікації показують, що теоретичні та експериментальні дослідження транспортних властивостей електронів в антимоніді індію проводяться вже протягом кількох десятиліть. Прогнозування характеристик нових електронних компонентів, що створюються на його основі, вимагає більш детального вивчення параметрів і властивостей кристала. З огляду на те, що антимонід індію (InSb) має найменшу ширину забороненої зони серед бінарних сполук групи AІІІB V , розробники розглядають його як перспективний матеріал для створення напівпровідникових структур різного призначення. У науковотехнічній літературі є дані щодо досліджень високошвидкісних транзисторів на основі InSb, розробки фотодетекторів інфрачервоного діапазону випромінювання. У публікаціях також представлено дослідження властивостей багатокомпонентних напівпровідників на основі антимоніду індію, що відкривають додаткові можливості для створення високоефективних напівпровідникових приладів.
Опис
Ключові слова
антимонід індія, швидкість розсіювання, InSb
Бібліографічний опис
Саурова, Т. А. Дослідження механізмів розсіювання електронів в антимоніді індію / Саурова Т. А. // Приладобудування: стан і перспективи : збірник матеріалів XXV Міжнародної науково-технічної конференції, [Київ], 12-13 травня 2026 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2026. – С. 130-132. – Бібліогр. 6 назв.