Послідовне включення тунельних діодів

dc.contributor.advisorБорисов, Олександр Васильович
dc.contributor.authorРудаков, Дмитро Юрійович
dc.date.accessioned2020-07-20T11:40:13Z
dc.date.available2020-07-20T11:40:13Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractenThe purpose of this work was to study the volt-ampere characteristics (I – V) of series connection of tunnel diodes (series counter and series co-directional connection). The object of the study is the series connection of tunnel diodes. The subject of the study is the volt-ampere characteristics of such connections. Methods used during the writing of the work: measurement of the I – V characteristics of semiconductor devices, in particular the tunnel diodes themselves, computer processing of data obtained during the experiment. In the near future, in the field of studying the physics of the tunnel effect in semiconductors and the creation of devices that use the tunneling effect, in my opinion, we should expect many more new discoveries and inventions. Because the tunnel diode can be used in a large number of devices such as amplifiers (HF, microwave, superregenerative), harmonic oscillators (high power generators, microwave generators), detectors (regenerative detector, superregenerative detector), frequency converters. That is why the paper provides a quantitative and qualitative description of the series connection of tunnel diodes, which will allow us to understand the peculiarities of such a connection.uk
dc.description.abstractukЗа мету даної роботи було поставлено дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) послідовного включення тунельних діодів (послідовне зустрічне та послідовне співнапрямлене включення). Об’єктом дослідження є послідовне включення тунельних діодів. Предметом дослідження є вольт-амперні характеристики таких з’єднань. Методи які було використано під час написання роботи: вимірювання ВАХ напівпровідникових приладів, зокрема самих тунельних діодів, комп’ютерна обробка даних отриманих при проведенні експерименту. В найближчому майбутньому в галузі вивчення фізики тунельного ефекту в напівпровідниках і створенні приладів, які використовують тунельний ефект на мою думку слід очікувати ще багато нових відкриттів і винаходів. Оскільки тунельний діод можна застосовувати у великій кількості приладів таких як підсилювачі (ВЧ, НВЧ, надрегенеративні), генератори гармонічних коливань (генератори підвищеної потужності, генератори НВЧ), детектори (регенеративний детектор, надрегенеративний детектор), перетворювачі частоти. Саме тому в роботі наведений кількісний та якісний опис роботи послідовного з’єднання тунельних діодів, що дасть змогу зрозуміти особливість такого з’єднання.uk
dc.format.page61 с.uk
dc.identifier.citationРудаков, Д. Ю. Послідовне включення тунельних діодів : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Рудаков Дмитро Юрійович. – Київ, 2020. – 61 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/35110
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectнапівпровідниковий приладuk
dc.subjectтунельний діодuk
dc.subjectвольт-амперна характеристикаuk
dc.subjectтунельний ефектuk
dc.subjectsemiconductor deviceuk
dc.subjecttunnel diodeuk
dc.subjectvolt-ampere characteristicuk
dc.subjecttunnel effectuk
dc.titleПослідовне включення тунельних діодівuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Rudakov_bakalavr.pdf
Розмір:
961.05 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: