Порівняльний аналіз ефективності вихідних каскадів підсилювачів звуку класу D на GaN та Si транзисторах

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2020-05-19

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

КПІ ім. Ігоря Сікорського

Анотація

Опис

Ключові слова

підсилювачі класу D, GaN transistors, class D amplifiers, кондуктивні електромагнітні завади, GaN-транзистори, common mode EMI, ККД підсилювача, amplifier efficiency, напівмостовий перетворювач, half-bridge converter, electromagnetic interference

Бібліографічний опис

Баран, В. С. Порівняльний аналіз ефективності вихідних каскадів підсилювачів звуку класу D на GaN та Si транзисторах : магістерська дис. : 171 Електроніка / Баран Вадим Сергійович. – Київ, 2020. – 106 с.

DOI