Порівняльний аналіз ефективності вихідних каскадів підсилювачів звуку класу D на GaN та Si транзисторах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorПілінський, Володимир Володимирович
dc.contributor.authorБаран, Вадим Сергійович
dc.date.accessioned2020-05-30T17:00:35Z
dc.date.available2020-05-30T17:00:35Z
dc.date.issued2020-05-19
dc.description.abstractenObject of study - Class D amplifiers on GaN and Si transistors. The purpose of the study is to determine the efficiency and levels of conductive EMI generated by Si and GaN MOSFET modules. It is necessary to compare the level of distortions of the modules at the same efficiency and different operating frequencies. Finally, evaluate the effectiveness and level of interference of the GaN module when operating at different frequencies. As a result of the research, it is recommended that developers recommend the use of a GaN module for a variety of cost-based tasks. Research methods - theoretical and analytical review of the technical features of sound amplifiers, methods of providing EMI; module design and measurement, comparative analysis. Measurements were carried out using: selective microvoltmeter SMV11, V-type LISN NNB101, RMS ammeter, oscilloscope Tektronix TDS1002, the signals were generated using the AD9850 module and the Arduino Nano microcontroller. Scientific novelty of the obtained results: today there are no practical comparative characteristics and recommendations of the expediency of efficient use of GaN-based and Si-transistor modules depending on the type of developer's tasks. Testing the results of the thesis: participation in the conference "IEEE 40th International Conference on Electronics and Nanotechnology 2020 (ELNANO)" and publication of theses.uk
dc.description.abstractukОб’єкт дослідження – модулі підсилювачів класу D на GaN та Si-транзисторах. Мета дослідження полягає в визначенні ефективності і рівнів кондуктивних ЕМЗ (далі ЕМЗ), що створюються Si і GaN MOSFET модулями. При цьому необхідно виконати порівняння рівня спотворень модулів за однакових ККД і різних робочих частотах. І, нарешті, оцінити ефективність і рівень завад GaN модуля при роботі на різних частотах. В результаті досліджень видати рекомендацію розробникам в доцільності використання GaN модуля для різних завдань з урахуванням вартості. Методи дослідження – теоретично-аналітичний огляд технічних особливостей звукових підсилювачів, методів забезпечення ЕМС; конструювання модулів та проведення вимірювання, порівняльний аналіз. Вимірювання проводилось за допомогою селективного мікровольтметру SMV11, V-подібного еквіваленту мережі NNB101, амперметра RMS, осцилографа Tektronix TDS1002, сигнали генерувалися за допомогою модуля AD9850 та мікроконтролера Arduino Nano. Наукова новизна одержаних результатів: виконано порівняльний аналіз характеристик та надано рекомендації доцільності ефективного використання перетворювальних модулів на базі GaN та Si-транзисторів в залежності від типу задач. Апробація результатів дисертації: участь у конференції «IEEE 40th International Conference on Electronics and Nanotechnology 2020 (ELNANO)» та публікація тез.uk
dc.format.page106 с.uk
dc.identifier.citationБаран, В. С. Порівняльний аналіз ефективності вихідних каскадів підсилювачів звуку класу D на GaN та Si транзисторах : магістерська дис. : 171 Електроніка / Баран Вадим Сергійович. – Київ, 2020. – 106 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/33865
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectпідсилювачі класу Duk
dc.subjectGaN transistorsuk
dc.subjectclass D amplifiersuk
dc.subjectкондуктивні електромагнітні завадиuk
dc.subjectGaN-транзисториuk
dc.subjectcommon mode EMIuk
dc.subjectККД підсилювачаuk
dc.subjectamplifier efficiencyuk
dc.subjectнапівмостовий перетворювачuk
dc.subjecthalf-bridge converteruk
dc.subjectelectromagnetic interferenceuk
dc.subject.udc621.314uk
dc.titleПорівняльний аналіз ефективності вихідних каскадів підсилювачів звуку класу D на GaN та Si транзисторахuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Baran_magistr.pdf
Розмір:
3.55 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (АМЕС)
Магістерські роботи