Моделювання сенсорів температури на основі кремнієвих нанониток
Вантажиться...
Дата
2024
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єктом дослідження є польові транзистори на основі кремнієвих нанониток та сенсори на їх основі.
Предмет роботи – проектування сенсора температури на основі SiNW та дослідження електричних та чутливих характеристик.
Мета роботи – створення моделі сенсора температури на основі SiNW для практичного використання.
В першому розділі проведено огляд існуючих сенсорів параметрів навколишнього середовища і біосенсорів на основі кремнієвих нанониток, їх характеристики, параметри та застосування.
В другому розділі представлено огляд літератури, в якому розглядаються технологічні засади та реалізація різних методів синтезу кремнієвих нанониток в рамках підходів «знизу-вгору» та «зверху-вниз», вплив технологічних параметрів методу на структурні особливості SiNWs-структур.
Третій розділ присвячено аналізу існуючих моделей сенсорів на основі SiNWs та підходам та методам моделювання даних електронних пристроїв.
В четвертому розділі подано результати моделювання сенсора температури на основі SiNW, дослідження електричних та чутливих характеристик та порівняння з існуючими аналогами. Визначено параметри SPICE моделі SiNWs транзистора та запропоновано принципову схему сенсора температури.
Опис
Ключові слова
кремній, нанонитки, сенсор температури, польовий транзистор
Бібліографічний опис
Сачевнік, В. Л. Моделювання сенсорів температури на основі кремнієвих нанониток : магістерська дис. : 176 Мікро- та наносистемна техніка / Сачевнік Вячеслав Леонідович. – Київ, 2024. – 61 с.