The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures
Вантажиться...
Дата
2016
Автори
Dvornikov, О. V.
Tchekhovski, V. А.
Dziatlau, V. L.
Prokopenko, N. N.
Дворніков, О. В.
Чеховський, В. О.
Дятлов, В. Л.
Прокопенко, М. М.
Дворников, О. В.
Чеховский, В. А.
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Опис
Ключові слова
SiGe bipolar transistors, low temperatures, temperature of liquid nitrogen, SiGe біполярні транзистори, низькі температури, температура рідкого азоту, SiGe биполярные транзисторы, низкие температуры, температура жидкого азота
Бібліографічний опис
The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures / О. V. Dvornikov, V. А. Tchekhovski, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2016. – Вип. 66. – С. 87–96. – Бібліогр.: 15 назв.