Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію

Loading...
Thumbnail Image

Date

2019

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Abstract

Description

Роботу виконано на кафедрі мікроелектронних інформаційних систем Інженерного інституту Запорізького національного університету Міністерства освіти і науки України.

Keywords

GaAs, омічні та інжектуючі бар’єрні переходи, коефіцієнт інжекції, срібло, потрійний сплав, МЕП-прилад, ohmic and injection barrier transitions, injection rate, silver, triple alloys, IET-devices, омические и инжектирующие барьерные переходы, коэффициент инжекции, серебро, тройной сплав, МЭП-прибор

Citation

Дмитрієв, В. С. Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію : дис. … канд. техн. наук : 05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки / Дмитрієв Вадим Сергійович. – Київ, 2019. – 184 с.

DOI