Сенсор на основі фотодіоду з InSb для середнього ІЧ діапазону
Вантажиться...
Дата
2020
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений
з імплантацією іонів берилію.
Предмет роботи – створення сенсору на основі фоточутливого елементу з
InSb, який працює при температурі 77К.
Метою даної роботи є створення сенсору на основі фоточутливого елементу
з InSb, який працює при температурі 77К та дослідження його характеристик.
Перший інформаційно-аналітичний розділ роботи містить загальну
інформацію про інфрачервоне випромінювання. Також в ньому коротко надана
інформація про принципи охолодження фотодіодів та сфери використання.
У другому розділі викладено інформацію про основні процеси
технологічного маршруту.
У третьому розділі удосконалюється процес виготовлення фотодіоду
Четвертий розділ включає в себе стартап-проект на основі проведених
досліджень. Опис та технологічний аудит ідеї, аналіз ринку, розробка ринкової
стратегії та маркетингової програми стартап-проекту.
Опис
Ключові слова
фотодіод, антимонід індію, іонна імплантація, фоточутливий елемент, анодне окиснення, пасивація поверхні, InSb, surface passivation, photodiode, indium antimonide, ion implantation, photosensitive element, anode oxidation
Бібліографічний опис
Безручко, М. В. Сенсор на основі фотодіоду з InSb для середнього ІЧ діапазону : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Безручко Марко Валерійович. – Київ, 2020. – 84 с.