Фотодіод на основі InSb
Вантажиться...
Дата
2020-12
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єктом дослідження став фотодіод на основі InSb утворений
імплантацією іонів берилію.
Предмет роботи – профіль розподілу імплантованої домішки та утворених
паразитних власних оксидів, вольт-амперні характеристики фотодіода.
Метою даної роботи є удосконалення технологічного маршруту для
виготовлення фотодіода на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення
його параметрів.
Проведено огляд науково-технічної літератури по заданій тематиці, коротко
надано відомості про сенсори на основі InSb, матеріали з аналогічними
властивостями, перспективність розробки. Викладена інформація про фізико-
технологічні аспекти основних процесів технологічного маршруту з
використанням іонної імплантації та швидкого термічного відпалу. Проаналізовано
фотодіоди стороннього виготовлення. Проведено моделювання властивостей
пристрою внаслідок зміни технологічних параметрів. Досліджено вплив анодного
окислу на структуру матеріалу. Описано конструкцію та удосконалений
технологічний маршрут виготовлення фотодіода. Викладені результати досліджень
профілів розподілу та ВАХ.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Кульбачинський, О. А. Фотодіод на основі InSb : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Кульбачинський Олександр Анатолійович. – Київ, 2020. – 102 с.