Розроблення стенду для комплексного вимірювання параметрів фотодіодів для оптоелектронної системи пірометра
Вантажиться...
Дата
2022
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єктом дослідження є розроблення стенду для вимірювання параметрів фотодіодів для оптоелектронної системи пірометра.
Предмет роботи – вимірювання параметрів кремнієвих фотодіодів із p-n переходом.
Мета роботи – створення стенду для вимірювання параметрів фотодіодів.
В першому розділі подаються теоретичні основи залежності параметрів та характеристик фотодіодів з p-n переходом від інтенсивності та довжини хвилі падаючого випромінювання, фізичних параметрів переходу, напрямку падіння випромінювання та впливу факторів, що впливають на спектральну характеристику.
В другому розділі розглядається пірометр з компенсацією випромінювання, оптимальні умови вимірювання коефіцієнтів випромінювання E та відбиття R, причини ефекту надкомпенсації температури.
В третьому розділі описується оптоелектронна схема вимірювального стенду та розроблені вимірювальні блоки, аналізуються результати вимірювань.
Опис
Ключові слова
метод газофазної епітаксії з металоорганічних сполук, пірометрія з компенсацією випромінювання, кремнієвий фотодіод, температурна залежність параметрів, metalorganic chemical vapour deposition, emissivity-compensated pyrometry, silicon photodiode, temperature dependence of parameters
Бібліографічний опис
Новіков, Д. О. Розроблення стенду для комплексного вимірювання параметрів фотодіодів для оптоелектронної системи пірометра : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Новіков Денис Олександрович. – Київ, 2022. – 86 с.