Electrical properties of highly nitrogen-doped 6H-SiC single crystals: Microwave cavity perturbation study
Вантажиться...
Дата
2023
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
Анотація
Опис
Ключові слова
conductivity, SiC, cavity perturbation method, activation energy
Бібліографічний опис
Electrical properties of highly nitrogen-doped 6H-SiC single crystals: Microwave cavity perturbation study / D. Savchenko et al. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023. Vol. 26, no. 1. P. 030–035.