Методи контролю процесу травлення технологічних шарів надвеликих інтегральних схем
Вантажиться...
Дата
2021
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Метою даної роботи є розробка та дослідження методики послідовного використання способів контролю процесу травлення надвеликих інтегральних схем, з допомогою електронної мікроскопії. Продемонстровані результати експериментальних досліджень-розрахунків.
Одним із важливих моментів у виробництві та дослідженні інтегральних схем (ІС) на рівні пластини є процес руйнування цих структур за допомогою зворотнього проектування (RE). Це може бути використано, для проведення перевірки, аналізу відказів, дослідження та розробки внутрішніх структур цих пристроїв. Процес (RE) складаеться з трьох основних етапів:
- декапсуляція, що означає відновлення внутрішніх компонентів мікросхем для дослідження матриць, об’єднань та інших функцій;
- деструктивний пошаровий аналіз кристала, щоб побачити кожен шар металізації, пасивуючий шар, шар полікремнію та активний шар;
- візуалізація, зазвичай реалізується за допомогою СЕМ, ПЕМ або SСM.
Для проведення ряду зазначених операцій надвеликої інтегральної схеми, було визначено проблему контролю процесу травлення по причині поступових змін характеристик процесу. Досліджуються конкретні технічні труднощі, що виникають при досягненні послідовності травлення пластин, та документує низку методів оцінки та моніторингу, показана актуальність визначеної задачі та шляхи її вирішення.
Опис
Ключові слова
скануючий електронний мікроскоп, трансмісійний електронний мікроскоп, плазмохімічне травлення, ІМС-інтегральна мікросхема, хімічно-механічне полірування, scanning electron microscope, transmission electron microscope, plasma-chemical etching, IC-integrated circuit, chemical-mechanical polishing
Бібліографічний опис
Сухобок, М. О. Методи контролю процесу травлення технологічних шарів надвеликих інтегральних схем : магістерська дис. : 171 Електроніка / Сухобок Максим Олегович. – Київ, 2021. – 85 с.