Метод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих структур мікросхем типу 3D NAND
Вантажиться...
Дата
2023
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Детальний аналіз принципів роботи 3D NAND пам'яті, її геометрії, архітектури та масштабування, рівня поверхні, надійності та управління помилками дозволяє визначити фундаментальні особливості цієї технології. Розгляд архітектурних особливостей та можливих помилок в NAND Flash-пам'яті розширює наше розуміння функціональності цього типу пам'яті.
Висвітлено важливість електронної мікроскопії як методу дослідження підповерхневих структур мікросхем типу 3D NAND. Проведено аналіз пристрою SNDM, CEM аналізу та трансмісійної електронної мікроскопії. Розглянуто принципи зображень та 3D реконструкції, а також визначено відмінності між скануючою трансмісійною електронною мікроскопією та іншими методами.
Дослідження використовується для вдосконалення процесів виробництва та забезпечення якості мікросхем, а також для розробки нових технологій у сфері електроніки та комп'ютерних систем. Результати дослідження мають практичне значення для індустрії та можуть бути використані для вдосконалення якості та надійності електронних пристроїв на основі мікросхем типу 3D NAND.
Опис
Ключові слова
3D NAND, електронна мікроскопія, підповерхневі структури, методи дослідження електронних мікросхем, мікросхеми, нанотехнології, наноархітектура, electron microscopy, subsurface structures, methods of electronic microchip investigation, microchips, nanotechnologies, nanoarchitecture
Бібліографічний опис
Мельник, А. Б. Метод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих структур мікросхем типу 3D NAND : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Мельник Анастасія Богданівна. – Київ, 2023. – 87 с.