Методи знаходження поверхневих станів МДН-структур за допомогою вольт-фарадних характеристик
Вантажиться...
Дата
2019-06
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Дипломна робота виконана на 55 сторінках, вони містять 4 розділи, 26 ілюстрацій та 15 джерел у списку посилань.
Об’єктом дослідження є вольт-фарадні характеристики МДН-структури. Предметом є порівняльний аналіз відомих методів дослідження поверхневих станів МДН-структури та їх удосконалення.
Метою роботи є розкриття проблеми про недосконалість методів дослідження поверхневих станів МДН-структури та пошук методів їх удосконалення.
У першому розділи розглянуто електронні процеси, що відбуваються в середині МДН-структури та на границі поділу діелектрик-напівпровідник. У другому проведено аналіз диференційного методу аналізу поверхневих станів МДН-структури та його недоліки. У третьому проведено експериментальне визначення щільності поверхневих станів за допомогою методу Термана. Четвертий розділ присвячений розробці методу знаходження напруги плоских зон та удосконалення методу Термана на його основі.
Опис
Ключові слова
МДН-структура, ВФХ, напруга плоских зон, метод Термана, поверхневі стани, MIS-structure
Бібліографічний опис
Снісаренко, О. В. Методи знаходження поверхневих станів МДН-структур за допомогою вольт-фарадних характеристик : дипломна робота … бакалавра : 6.050801 Мікро- та наноелектроніка / Снісаренко Ольга Вікторівна. – Київ, 2019. – 56 с.