Методи знаходження поверхневих станів МДН-структур за допомогою вольт-фарадних характеристик

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorКоролевич, Любомир Миколайович
dc.contributor.authorСнісаренко, Ольга Вікторівна
dc.date.accessioned2019-08-23T14:40:49Z
dc.date.available2019-08-23T14:40:49Z
dc.date.issued2019-06
dc.description.abstractenThe thesis was carried out on 55 pages, they contain 4 sections, 26 illustrations and 15 sources in the list of links. The object of the study is the capacitance-voltage characteristics of the MIS-structure. The subject is a comparative analysis of the known methods for studying the surface states of the MIS structure and their improvement. The aim of the work is to reveal the problem of the imperfection of methods for studying surface states of a MIS structure and the search for methods to improve them. In the first section, electronic processes occurring inside the MIS structure and at the interface between the dielectric and semiconductor are considered. In the second, an analysis of the differential method for analyzing the surface states of the MIS structure and its drawbacks is carried out. In the third, experimental determination of the density of surface states was carried out using the Terman method. The fourth section is devoted to the development of the method for finding the voltage of flat zones and the improvement of the Terman method based on it.uk
dc.description.abstractukДипломна робота виконана на 55 сторінках, вони містять 4 розділи, 26 ілюстрацій та 15 джерел у списку посилань. Об’єктом дослідження є вольт-фарадні характеристики МДН-структури. Предметом є порівняльний аналіз відомих методів дослідження поверхневих станів МДН-структури та їх удосконалення. Метою роботи є розкриття проблеми про недосконалість методів дослідження поверхневих станів МДН-структури та пошук методів їх удосконалення. У першому розділи розглянуто електронні процеси, що відбуваються в середині МДН-структури та на границі поділу діелектрик-напівпровідник. У другому проведено аналіз диференційного методу аналізу поверхневих станів МДН-структури та його недоліки. У третьому проведено експериментальне визначення щільності поверхневих станів за допомогою методу Термана. Четвертий розділ присвячений розробці методу знаходження напруги плоских зон та удосконалення методу Термана на його основі.uk
dc.format.page56 с.uk
dc.identifier.citationСнісаренко, О. В. Методи знаходження поверхневих станів МДН-структур за допомогою вольт-фарадних характеристик : дипломна робота … бакалавра : 6.050801 Мікро- та наноелектроніка / Снісаренко Ольга Вікторівна. – Київ, 2019. – 56 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/28871
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectМДН-структураuk
dc.subjectВФХuk
dc.subjectнапруга плоских зонuk
dc.subjectметод Терманаuk
dc.subjectповерхневі станиuk
dc.subjectMIS-structureuk
dc.titleМетоди знаходження поверхневих станів МДН-структур за допомогою вольт-фарадних характеристикuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Snisarenko_bakalavr.pdf
Розмір:
1.05 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи