Час життя в пористих структурах з нанокристалами металів
dc.contributor.advisor | Ільченко, Валентин Іванович | |
dc.contributor.author | Федоров, Антон Олександрович | |
dc.date.accessioned | 2019-08-27T11:35:45Z | |
dc.date.available | 2019-08-27T11:35:45Z | |
dc.date.issued | 2019-06 | |
dc.description.abstracten | The total amount of work is 72 pages, number of illustrations - 32, tables - 2, bibliographic titles - 18. The lifetime of carriers of unbalanced charge carriers is an important parameter for semiconductor devices and devices. It is generally believed that the presence of metals in silicon leads to a deterioration of the bulk properties of the semiconductor. In the last three decades, such material has become popular as porous silicon, one of the methods of obtaining which is chemical etching in the presence of metals. The purpose of this work is to study the lifetime of unbalanced charge carriers in porous silicon made by the method of chemical etching in the presence of metals. Important factors are the presence of various metals during etching. To conduct the study, you must do the following: • To conduct a review of the literature and get acquainted with the features of porous silicon and methods of its manufacture. • To produce a sufficient number of different samples of porous silicon • Take measurements of life time • Make conclusions about the information obtained during the study The objects of the study are samples of porous silicon containing one or another amount of metallic substances. The following research methods were developed in the work: • Obtaining a realxication characteristic of charge carriers by a method of modulation in point contact. Measuring the resistance of the samples • Studying the morphology of sensor samples using raster electron microscopy. The scientific novelty consists in studying the parameters of porous silicon, etched precisely with help of metal chemical assisting etching with Ag, Au, and Cu, with the subsequent removal of metallic nanoparticles in some cases. | uk |
dc.description.abstractuk | Загальний обсяг роботи складає 72 сторінки, кількість ілюстрацій - 32, таблиць - 2, джерел за переліком посилань - 18. Час життя носіїв неврівноважених носіїв заряду є важливим параметром для напівпровідникових приладів та пристроїв. Зазвичай вважається, що присутність металів в кремнії призводить до погіршення об’ємних властивостей напівпровідника. В останні три десятиліття почав набувати популярності такий матеріал як пористий кремній, одним із способів отримання якого є хімічне травлення в присутності металів. Метою роботи є дослідження часу життя неврівноважених носіїв заряду в пористому кремнії, виготовленому методом хімічного травлення в присутності металів. Важливим факторов є присутність різних металів при травленні крепнію. Для здійснення дослідження необхідно про зробии наступне: • Провести огляд літератури та ознайомитися с особливостями пористого кремнію та методами його виготовлення. • Виготовити достатню кількість різноманітних зразків пористого кремнію • Провести виміри часу життя • Зробити висновки щодо отриманох під час дослідження інформації Об’єктами дослідження є зразки пористого кремнію, що містять ту чи іншу кількість металічних речовин. У роботі було виористано наступні методи дослідження: • Отримання реалксаційної характеристики носіїв заряду методом модцляції в точковому контакті. • Вимірювання опору зразків • Вивчення морфології зразків сенсорів за допомогою растрової електронної мікроскопії. Наукова новизна полягає у дослідженні параметрів пористого кремнію, протравленного саме в присутності Ag, Au та Cu з подальшим видаленням металічних наночасток у деяких випадках. | uk |
dc.format.page | 73 с. | uk |
dc.identifier.citation | Федоров, А. О. Час життя в пористих структурах з нанокристалами металів : дипломна робота … бакалавра : 6.050801 Мікро- та наноелектроніка / Федоров Антон Олександрович. – Київ, 2019. – 73 с. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28877 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | КПІ ім. Ігоря Сікорського | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.subject | пористий кремній | uk |
dc.subject | метод травлення в присутності металів | uk |
dc.subject | релаксаційна характеристика | uk |
dc.subject | час життя носіїв заряду | uk |
dc.subject | porous silicon | uk |
dc.subject | method of etching in the presence of metals | uk |
dc.subject | relaxation characteristic | uk |
dc.subject | life time of charge carrier | uk |
dc.title | Час життя в пористих структурах з нанокристалами металів | uk |
dc.type | Bachelor Thesis | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Fedorov_bakalavr.pdf
- Розмір:
- 10.1 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.06 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: