Пристрій вимірювання параметрів напівпровідникових приладів для формування їх математичних моделей САПР

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorПіддубний, Володимир Олексійович
dc.contributor.authorГрицевич, Іван Ростиславович
dc.date.accessioned2018-12-27T11:29:21Z
dc.date.available2018-12-27T11:29:21Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractenWork was carried out on 87 pages with 17 references to the scientific literature. The work includes 45 figures and 32 tables. In the dissertation the device of measurement of characteristics and formation of model parameters of semiconductors for CAD is developed. Algorithms for measuring frequency and temperature characteristics are developed. This development will precise or obtain the parameters of transistors and other semiconductor devices. This will increase the efficiency of designing radio-electronic equipment, in particular, avoid setting after design, improve reliability and reduce the total number of components of the radio-electronic circuits.uk
dc.description.abstractruРабота выполнена на 87 страницах, имеет 17 ссылок на научно-техническую литературу. В работе есть 45 рисунков и 32 таблицы. В диссертации разработано устройство измерения характеристик и формирования параметров модели полупроводников для САПР. Разработаны алгоритмы измерения частотных и температурных характеристик. Данная разработка позволит уточнять или формировать параметры транзисторов и других полупроводниковых приборов. Это позволит повысить эффективность проектирования радио-электронной аппаратуры, в частности избежать настройки после проектирования, повысить надежность и уменьшить общее количество компонентов радио-электронных схем.uk
dc.description.abstractukРобота виконана на 87 сторінках, має 17 посилань на науково-технічну літературу. В роботі є 45 рисунків та 32 таблиці. В дисертації розроблено пристрій вимірювання характеристик та формування параметрів моделі напівпровідників для САПР. Розроблено алгоритми вимірювання частотних та температурних характеристик. Дана розробка дозволить уточнювати або формувати параметри транзисторів та інших напівпровідникових приладів. Це дозволить підвищити ефективність проектування радіо-електронної апаратури, зокрема уникнути налаштування після проектування, підвищити надійність та зменшити загальну кількість компонентів радіо-електронних схем.uk
dc.format.page101 с.uk
dc.identifier.citationГрицевич, І. Р. Пристрій вимірювання параметрів напівпровідникових приладів для формування їх математичних моделей САПР : магістерська дис. : 172 Радіотехнічні інформаційні технології / Грицевич Іван Ростиславович – Київ, 2018. – 101 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/25543
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectтранзисторний характерографuk
dc.subjectпараметри напівпровідниківuk
dc.subjectмодель Гумеля-Пунаuk
dc.subjectпараметри моделі САПРuk
dc.subjectвольт-амперні характеристикиuk
dc.subjectamper-volt characteristics.uk
dc.subjecttransistor curve traceruk
dc.subjectsemiconductor parametersuk
dc.subjectGummel-Poon modeluk
dc.subjectCAD model parametersuk
dc.subject.udc621.382.2/.3uk
dc.titleПристрій вимірювання параметрів напівпровідникових приладів для формування їх математичних моделей САПРuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Hrytsevych_magistr.pdf
Розмір:
3.8 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (РТПС)
Магістерські роботи