Дослідження кінетичних властивостей електронів в антимоніді індію
Вантажиться...
Дата
2024
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єктом дослідження є напівпровідниковий матеріал антимонід індію (InSb).
Предмет дослідження - часи релаксації типових механізмів розсіювання, рухливість електронів, поле-швидкісна характеристика.
Метою роботи є дослідження температурної залежності рухливості електронів та поле-швидкісної характеристики антимоніду індію.
У першому розділі наведено загальну інформацію щодо кристалічної структури антимоніду індію, показано дисперсійну характеристику, описано технології вирощування кристалу та застосування у сучасних розробках. У другому розділі підібрано варіанти для параметрів, показано та описано результати змодельованих температурних залежностей для різних процесів розсіювання, рухливості та порівняння з експериментом, а також: поле-швидкісну характеристику, дрейфову швидкість в динамічному режимі електричного поля.
Опис
Ключові слова
антімонід індію, рухливість електронів, релаксація
Бібліографічний опис
Шпиченко, В. С. Дослідження кінетичних властивостей електронів в антимоніді індію : магістерська дис. : 176 Мікро- та наносистемна техніка / Шпиченко Владислав Сергійович. – Київ, 2024. – 54 с.