Дослідження кінетичних властивостей електронів в антимоніді індію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorСаурова, Тетяна Асадівна
dc.contributor.authorШпиченко, Владислав Сергійович
dc.date.accessioned2026-01-14T13:58:53Z
dc.date.available2026-01-14T13:58:53Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractОб’єктом дослідження є напівпровідниковий матеріал антимонід індію (InSb). Предмет дослідження - часи релаксації типових механізмів розсіювання, рухливість електронів, поле-швидкісна характеристика. Метою роботи є дослідження температурної залежності рухливості електронів та поле-швидкісної характеристики антимоніду індію. У першому розділі наведено загальну інформацію щодо кристалічної структури антимоніду індію, показано дисперсійну характеристику, описано технології вирощування кристалу та застосування у сучасних розробках. У другому розділі підібрано варіанти для параметрів, показано та описано результати змодельованих температурних залежностей для різних процесів розсіювання, рухливості та порівняння з експериментом, а також: поле-швидкісну характеристику, дрейфову швидкість в динамічному режимі електричного поля.
dc.description.abstractotherResearch object is the semiconductor material indium antimonide (InSb). The research subject includes the relaxation times of typical scattering mechanisms, electron mobility, and field-velocity characteristics. The aim of the study is to investigate the temperature dependence of electron mobility and the field-velocity characteristics of indium antimonide. The first chapter provides general information about the crystal structure of indium antimonide, demonstrates its dispersion characteristics, describes crystal growth technologies, and highlights applications in modern developments. The second chapter selects parameter options, presents and describes the results of simulated temperature dependencies for various scattering processes and mobility, compares them with experimental data, and also examines the field-velocity characteristic and drift velocity in the dynamic regime of the electric field.
dc.format.extent54 с.
dc.identifier.citationШпиченко, В. С. Дослідження кінетичних властивостей електронів в антимоніді індію : магістерська дис. : 176 Мікро- та наносистемна техніка / Шпиченко Владислав Сергійович. – Київ, 2024. – 54 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/78115
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectантімонід індію
dc.subjectрухливість електронів
dc.subjectрелаксація
dc.titleДослідження кінетичних властивостей електронів в антимоніді індію
dc.typeMaster Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Shpychenko_magistr.pdf
Розмір:
1.05 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (ЕІ)
Магістерські роботи