Вплив границь розділу на термічно-індуковані твердотільні реакції в тонкоплівкових композиціях Ni/Ti

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorОрлов, Андрій Костянтинович
dc.contributor.authorГуйжун
dc.date.accessioned2023-05-04T08:06:54Z
dc.date.available2023-05-04T08:06:54Z
dc.date.issued2022-12
dc.description.abstractОб’єкт дослідження: Нанорозмірні плівкові композиції Ni(30 нм)/Ti(30 нм) та [Ni(15 нм)/Ti(15 нм)]x2, осаджені методом магнетронного розпорошення на термічно-окиснені підкладинки монокристалічного кремнію SiO2(100 нм)/Si(001). Предмет дослідження: процеси дифузійного структуроутворення та закономірності фазоутворення в системі Ni-Ti для різної кількості внутрішніх інтерфейсів Ni(30нм)/Ti(30нм)/Si та [Ni(15нм)/Ti(15нм)]x2/Si. Мета роботи: дослідження впливу кількості границь розділу тонкоплівкової системи Ni/Ti на структурно-фазові перетворення та розвиток дифузійних процесів за умов відпалу в температурному інтервалі 200 - 600 ∘С в вакуумі (10-3 Па). Методи дослідження: рентгеноструктурний фазовий аналіз, мас-спектрометрія вторинних іонів. Результати досліджень та їх новизна: збільшення кількості внутрішніх границь розділу із збереженням загальної товщини системи призводить до інтенсифікації дифузійних процесів та структурних змін на ранніх стадіях термічної обробки нанорозмірних плівкових композицій. Сфера застосування: інформаційні технології, мікроелектромеханічні системи.uk
dc.description.abstractotherThe object of research: nanoscale film compositions of Ni(30 nm)/Ti(30 nm) and [Ni(15 nm)/Ti(15 nm)]x2 deposited by magnetron sputtering on thermally oxidized single crystal silicon substrates SiO2(100 nm)/Si(001). The subject of research: processes of diffusion structure formation and regularities of phase formation in Ni-Ti system for different number of internal interfaces Ni(30nm)/Ti(30nm)/Si and [Ni(15nm)/Ti(15nm)]x2/Si. The purpose of research: study of the influence of the number of interfaces of the Ni/Ti thin film system on the structural-phase transformations and the development of diffusion processes under annealing conditions in the temperature range 200-600 ∘C in vacuum (10-3 Pa). Research methods: x-ray diffraction analysis, secondary ion mass spectrometry. Research results and novelty: an increase in the number of internal interfaces while maintaining the total thickness of the system leads to the intensification of diffusion processes and structural changes in the early stages of heat treatment of nanoscale film compositions. Field of application: information Technology, micro-electro-mechanical system.uk
dc.format.extent81 с.uk
dc.identifier.citationГуйжун. Вплив границь розділу на термічно-індуковані твердотільні реакції в тонкоплівкових композиціях Ni/Ti : магістерська дис. : 132 Матеріалознавство / Гуйжун. – Київ, 2022. – 81 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/55282
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectсплави з пам'яттю формиuk
dc.subjectтонкі плівки NiTiIuk
dc.subjectмагнетронне розпиленняuk
dc.subjectтермообробкаuk
dc.subjectфазаuk
dc.subjectshape memory alloysuk
dc.subjectNiTi thin filmsuk
dc.subjectmagnetron sputtinguk
dc.subjectheat treatmentuk
dc.subjectphaseuk
dc.titleВплив границь розділу на термічно-індуковані твердотільні реакції в тонкоплівкових композиціях Ni/Tiuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Huizhun_mahistr.pdf
Розмір:
6.07 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (ФМТО)
Магістерські роботи