The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors
Вантажиться...
Дата
2017
Автори
Dvornikov, О. V.
Dziatlau, V. L.
Prokopenko, N. N.
Tchekhovski, V. А.
Дворнiков, О. В.
Дятлов, В. Л.
Прокопенко, М. М.
Чеховський, В. О.
Дворников, О. В.
Дятлов, В. Л.
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Опис
Ключові слова
radiation hardness, SiGe-transistors, analog microcircuits, gamma rays, main static characteristics of transistor, радiацiйна стiйкiсть, SiGe-транзистори, аналоговi мiкросхеми, гамма випромiнювання, основнi статичнi характеристики транзистора, радиационная стойкость, SiGe-транзисторы, аналоговые микросхемы, гамма излучение, основные статические характеристики транзистора
Бібліографічний опис
The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors / О. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, V. А. Tchekhovski // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2017. – Вип. 71. – С. 40–45. – Бібліогр.: 25 назв.