The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorDvornikov, О. V.
dc.contributor.authorDziatlau, V. L.
dc.contributor.authorProkopenko, N. N.
dc.contributor.authorTchekhovski, V. А.
dc.contributor.authorДворнiков, О. В.
dc.contributor.authorДятлов, В. Л.
dc.contributor.authorПрокопенко, М. М.
dc.contributor.authorЧеховський, В. О.
dc.contributor.authorДворников, О. В.
dc.contributor.authorДятлов, В. Л.
dc.contributor.authorПрокопенко, Н. Н.
dc.contributor.authorЧеховский, В. А.
dc.date.accessioned2018-08-22T12:16:02Z
dc.date.available2018-08-22T12:16:02Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractenThe article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static base current gain (β) in the common-emitter configuration on emitter current, the output characteristic in the common-emitter configuration.uk
dc.description.abstractruРассмотрено воздействие гамма-излучения радионуклида 60Co на наиболее значимые для аналоговых микросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторов техпроцесса SGB25V: напряжение на прямосмещенном эмиттерном переходе, зависимость статического коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером (β) от эмиттерного тока, выходная характеристика в схеме с общим эмиттером.uk
dc.description.abstractukРозглянуто вплив гамма-випромiнювання радiонуклiда 60Co на найбiльш важливi для аналогових мiкросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторiв техпроцесу SGB25V: напруга на прямозмiщеному емiтерному переходi, залежнiсть статичного коефiцiєнта передачi струму бази в схемi з спiльним емiтером (β) вiд емiтерного струму, вихiдна характеристика в схемi з спiльним емiтером.uk
dc.format.pagerangeС. 40–45uk
dc.identifier.citationThe Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors / О. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, V. А. Tchekhovski // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2017. – Вип. 71. – С. 40–45. – Бібліогр.: 25 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325
dc.language.isoenuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 71uk
dc.status.pubpublished
dc.subjectradiation hardnessuk
dc.subjectSiGe-transistorsuk
dc.subjectanalog microcircuitsuk
dc.subjectgamma raysuk
dc.subjectmain static characteristics of transistoruk
dc.subjectрадiацiйна стiйкiстьuk
dc.subjectSiGe-транзисториuk
dc.subjectаналоговi мiкросхемиuk
dc.subjectгамма випромiнюванняuk
dc.subjectосновнi статичнi характеристики транзистораuk
dc.subjectрадиационная стойкостьuk
dc.subjectSiGe-транзисторыuk
dc.subjectаналоговые микросхемыuk
dc.subjectгамма излучениеuk
dc.subjectосновные статические характеристики транзистораuk
dc.titleThe Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistorsuk
dc.title.alternativeВплив гамма-випромiнювання на основнi статичнi характеристики SiGe транзисторiвuk
dc.title.alternativeВлияние гамма-излучения на основные статические характеристики SiGe транзисторовuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
VKPIRR_2017_71_7Dvornikov.pdf
Розмір:
603.52 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 71