Електронно-променева літографія на базі сканувального електронного мікроскопа
Вантажиться...
Дата
2025
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об'єктом дослідження є процес формування мікро- та наноструктур за допомогою електронно-променевої літографії у сканувальному електронному мікроскопі.
Предметом дослідження є технологічні параметри, режими експонування та особливості взаємодії електронного променя з матеріалами електронного резисту, які впливають на якість і точність виготовлення прототипів електронних компонентів.
Метою роботи є дослідження можливостей і розробка підходів до застосування високоточної електронно-променевої літографії на базі сканувального електронного мікроскопа для виготовлення прототипів електронних компонентів із нанометровою точністю.
У першому розділі представлено огляд літератури щодо високоточної електронно-променевої літографії на базі сканувального електронного мікроскопа.
У другому розділі розглянуто класифікацію методів та етапи виробництва електронних компонентів.
У третьому розділі досліджено застосування методу електронно-променевої літографії для створення експериментальних зразків та прототипування у лабораторних умовах.
У четвертому розділі представлено переваги та обмеження електронно-променевої літографії на базі сканувального електронного мікроскопа.
Опис
Ключові слова
Електронно-променева літографія, сканувальний електронний мікроскоп, резист, електронний пучок, Electron beam lithography, scanning electron microscope, resist, electron beam
Бібліографічний опис
Хаврусь, Д. С. Електронно-променева літографія на базі сканувального електронного мікроскопа : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Хаврусь Дмитро Сергійович. – Київ, 2025. – 80 с.