Електронно-променева літографія на базі сканувального електронного мікроскопа

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorВерцанова, Олена Вікторівна
dc.contributor.authorХаврусь, Дмитро Сергійович
dc.date.accessioned2025-07-23T12:47:13Z
dc.date.available2025-07-23T12:47:13Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractОб'єктом дослідження є процес формування мікро- та наноструктур за допомогою електронно-променевої літографії у сканувальному електронному мікроскопі. Предметом дослідження є технологічні параметри, режими експонування та особливості взаємодії електронного променя з матеріалами електронного резисту, які впливають на якість і точність виготовлення прототипів електронних компонентів. Метою роботи є дослідження можливостей і розробка підходів до застосування високоточної електронно-променевої літографії на базі сканувального електронного мікроскопа для виготовлення прототипів електронних компонентів із нанометровою точністю. У першому розділі представлено огляд літератури щодо високоточної електронно-променевої літографії на базі сканувального електронного мікроскопа. У другому розділі розглянуто класифікацію методів та етапи виробництва електронних компонентів. У третьому розділі досліджено застосування методу електронно-променевої літографії для створення експериментальних зразків та прототипування у лабораторних умовах. У четвертому розділі представлено переваги та обмеження електронно-променевої літографії на базі сканувального електронного мікроскопа.
dc.description.abstractotherThe object of the study is the process of forming micro- and nanostructures using electron beam lithography in a scanning electron microscope. The subject of the study is the technological parameters, exposure modes and features of the interaction of the electron beam with electronic resist materials, which affect the quality and accuracy of manufacturing prototypes of electronic components. The purpose of the work is to study the possibilities and develop approaches to the application of high-precision electron beam lithography based on a scanning electron microscope for manufacturing prototypes of electronic components with nanometer accuracy. The first section presents a review of the literature on high-precision electron beam lithography based on a scanning electron microscope. The second section considers the classification of methods and stages of manufacturing electronic components. The third section explores the application of electron beam lithography to create experimental samples and prototyping in laboratory conditions. The fourth section presents the advantages and limitations of electron beam lithography based on a scanning electron microscope.
dc.format.extent80 с.
dc.identifier.citationХаврусь, Д. С. Електронно-променева літографія на базі сканувального електронного мікроскопа : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Хаврусь Дмитро Сергійович. – Київ, 2025. – 80 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/75187
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectЕлектронно-променева літографія
dc.subjectсканувальний електронний мікроскоп
dc.subjectрезист
dc.subjectелектронний пучок
dc.subjectElectron beam lithography
dc.subjectscanning electron microscope
dc.subjectresist
dc.subjectelectron beam
dc.titleЕлектронно-променева літографія на базі сканувального електронного мікроскопа
dc.typeBachelor Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Khavrus_bakalavr.pdf
Розмір:
713.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи