Визначення основних електрофізичних параметрів структур метал-діелектрик-напівпровідник за вольт-фарадними характеристиками

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorКоролевич, Любомир Миколайович
dc.contributor.authorАбраімов, Олексій Валерійович
dc.date.accessioned2020-07-20T11:10:33Z
dc.date.available2020-07-20T11:10:33Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractenThe work is present on 60 pages , it contains 4 sections, 28 illustrations, 20 sources in the list of references. The object of study is the capacitance-voltage characteristics of the metal-insulator-semiconductor structure. The subject is a comparison of the results of the study of electrophysical parameters by the C-V characteristics by known methods. The purpose of the work is comparison of known methods for determining the electrophysical parameters of MIS structures. The first section is devoted to the basic concepts and processes that are observed in the MIS structure. The concept of an ideal MIS structure, threshold voltage, voltage of flat zones is defined. A small characterization of high-k materials is made. In the second section, we consider the methodology for determining the structure parameters by the classical method and carry out their experimental study. The third section substantiates the effect of charge states on the C-V characteristics of a system. The analysis of charge states arising on a semiconductor is carried out. The fourth section is devoted to an experiment to study the charge distribution at the insulator-semiconductor interface by various methods.uk
dc.description.abstractukДипломна робота виконана на 60 сторінках, що містять 4 розділи, 28 ілюстрацій, 20 джерел посилань. Об’єктом дослідження є вольт-фарадні характеристики структури метал-діелектрик-напівпровідник. Предметом є порівняння результатів дослідження електрофізичних параметрів за ВФХ відомими методами. Метою роботи є порівняння відомих методів визначення електрофізичних параметрів МДН-структури. Перший розділ присвячений основним поняттям та процесам, що спостерігаються в МДН-структурі. Визначено поняття ідеальної МДН-структури, порогової напруги, напруги плоских зон. Проведено невелику характеристику high-k матеріалів. У другому розділі розглянута методика визначення параметрів структури за класичним методом та проведене їх експериментальне дослідження. У третьому розділі обґрунтовано вплив зарядових станів на ВФХ системи. Проведено аналіз зарядових станів, що виникають на напівпровіднику. Четвертий розділ присвячений проведенню експерименту для дослідження розподілу заряду на межі розподілу діелектрик-напівпровідник різними методами.uk
dc.format.page60 с.uk
dc.identifier.citationАбраімов, О. В. Визначення основних електрофізичних параметрів структур метал-діелектрик-напівпровідник за вольт-фарадними характеристиками : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Абраімов Олексій Валерійович. – Київ, 2020. – 60 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/35104
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectМДН-структураuk
dc.subjectВФХuk
dc.subjectповерхневі станиuk
dc.subjectнапруга плоских зонuk
dc.subjectрозподіл заряду на межі діелектрик-напівпровідникuk
dc.subjectMIS structureuk
dc.subjectCV characteristicsuk
dc.subjectsurface statesuk
dc.subjectvoltage of planar zonesuk
dc.subjectcharge distribution at the insulator-semiconductor interfaceuk
dc.titleВизначення основних електрофізичних параметрів структур метал-діелектрик-напівпровідник за вольт-фарадними характеристикамиuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Abraimov_bakalavr.pdf
Розмір:
1.12 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи