Сенсори параметрів навколишнього середовища на основі кремнієвих нанониток

dc.contributor.advisorКоваль, Вікторія Михайлівна
dc.contributor.authorСачевнік, Вячеслав Леонідович
dc.date.accessioned2023-09-08T16:47:41Z
dc.date.available2023-09-08T16:47:41Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractРоботу викладено на 80 сторінках, вона містить 3 розділи, 38 ілюстрацій, 10 таблиць і 23 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження є кремнієві нанонитки (SiNWs) та прилади на їх основі. Предмет роботи – дослідження морфологічних, електричних та чутливих характеристик синтезованих SiNWs-структур в сенсорах температури, освітленості та вологості на їх основі. Мета роботи – розробка технології синтезу кремнієвих нанониток методом метало-стимульованого хімічного травлення для застосування їх в сенсорах навколишнього середовища (температури, освітленості та вологості). В першому розділі представлено огляд літератури, в якому розглядаються технологічні засади та реалізація різних методів синтезу кремнієвих нанониток в рамках підходів «знизу-вгору» та «зверху-вниз», вплив технологічних параметрів методу на структурні особливості отримуваних SiNWs-структур. В другому розділі розглядаються наукові досягнення в області сенсорів навколишнього середовища на основі SiNWs, їх характеристики та параметри. В третьому розділі подано результати синтезу, дослідження поверхневих структур, електричних та чутливих характеристик сенсорів температури, освітленості та вологості, отриманих на основі SiNWs, в залежності від технологічних параметрів методу MACE.uk
dc.description.abstractotherThe work is set out on 69 pages, contains 3 chapters, 37 illustrations, 11 tables and 23 references. The object of research is silicon nanowires (SiNWs) and devices based on them. The subject of the work is the study of morphological, electrical and sensitive characteristics of obtained SiNWs-structures in temperature, light and humidity sensors based on them. The aim of the work is to develop a technology for the synthesis of silicon nanowires by metal-assisted chemical etching for applications in environmental sensors (temperature, light and humidity). The first section presents a literature review about technological principles and implementation of various methods for the synthesis of silicon nanowires within the framework of bottom-up and top-down approaches, the influence of technological parameters of the method on the structural features of the obtained SiNWs-structures. The second section discusses scientific achievements in the field of environmental sensors based on SiNWs, their characteristics and parameters. The third section presents the results of synthesis, study of surface structures, electrical and sensing characteristics of temperature, light and humidity sensors based on SiNWs, depending on the technological parameters of the MACE method.uk
dc.format.extent80 с.uk
dc.identifier.citationСачевнік, В. Л. Сенсори параметрів навколишнього середовища на основі кремнієвих нанониток : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Сачевнік Вячеслав Леонідович. – Київ, 2023. – 80 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/60087
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectкремнійuk
dc.subjectметало-стимульоване хімічне травленняuk
dc.subjectнанониткиuk
dc.subjectсенсор температуриuk
dc.subjectсенсор освітленостіuk
dc.subjectсенсор вологостіuk
dc.subjectsiliconuk
dc.subjectmetal-assisted chemical etchinguk
dc.subjectnanowiresuk
dc.subjecttemperature sensoruk
dc.subjectlight sensoruk
dc.subjecthumidity sensoruk
dc.titleСенсори параметрів навколишнього середовища на основі кремнієвих нанонитокuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Sachevnik_bakalavr.pdf
Розмір:
2.98 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: