Метод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorВерцанова, Олена Вікторівна
dc.contributor.authorЛугова, Вероніка Олегівна
dc.date.accessioned2023-09-08T16:14:34Z
dc.date.available2023-09-08T16:14:34Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractТекстова частина дипломної роботи складає 51 сторінок, 21 рисунків та 30 літературних посилань. Об'єкт дослідження – метод електронної мікроскопії, за допомогою якого проводиться аналіз дефектів. Предмет дослідження – підповерхневі дефекти електронних компонентів та інтегральних схем. Мета роботи – вивчення можливостей застосування методу електронної мікроскопії для вияву і аналізу підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС, а також визначити типи та характеристики дефектів. Розглянути основні принципи цього методу, а також його використання. В роботі виконано огляд методів електронної мікроскопії, висвітлено їх переваги та недоліки у виявлення та аналізу підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС. Також наведений огляд підповерхневі дефекти і їх характеристики. Описано застосування методу скануючої електронної мікроскопії у поєднанні зі сфокусованим іонним пучком для виявлення підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС.uk
dc.description.abstractotherThe text part of the thesis consists of 51 pages, 21 figures and 30 references. The object of research is the method of electron microscopy, which is used to analyze defects. The subject of the research is the sub-surface defects of electronic components and integrated circuits. Purpose - to study the possibilities of using the method of electron microscopy to detect and analyze sub-surface defects in electronic components and ICs, as well as to determine the types and characteristics of defects. To consider the basic principles of this method, as well as its use. The paper provides an overview of electron microscopy methods, highlights their advantages and disadvantages in detecting and analyzing sub-surface defects in electronic components and ICs. An overview of sub-surface defects and their characteristics is also given. The application of the scanning electron microscopy method in combination with a focused ion beam to detect sub-surface defects in electronic components and ICs is described.uk
dc.format.extent51 с.uk
dc.identifier.citationЛугова, В. О. Метод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Лугова Вероніка Олегівна. – Київ, 2023. – 51 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/60074
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectпідповерхневі дефекти електронних компонентів та інтегральних схемuk
dc.subjectскануюча електронна мікроскопіяuk
dc.subjectсфокусований іонний пучокuk
dc.subjectметоди виявлення підповерхневих дефектівuk
dc.subjectsub-surface defects of electronic components and integrated circuitsuk
dc.subjectscanning electron microscopyuk
dc.subjectfocused ion beamuk
dc.subjectmethods of detecting sub-surface defectsuk
dc.titleМетод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІСuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Luhova_bakalavr.pdf
Розмір:
741.98 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи