Моделювання сенсорів газу на основі оксиду галію
Вантажиться...
Дата
2025
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єктом дослідження є властивості та характеристики різних напівпровідникових матеріалів у складі польових структур сенсорів газу.
Метою даної роботи є дослідження та порівняльний аналіз характеристик напівпровідникових матеріалів, а також модернізація аналітичної моделі для моделювання польових структур сенсорів газу на їх основі.
Завданням дослідження є:
− Аналіз властивостей напівпровідникових матеріалів та їхніх поле-швидкісних характеристик для застосування у сенсорах газу.
− Модернізація аналітичної моделі польового транзистора шляхом врахування польової залежності рухливості, вдосконалення моделі сенсору газу.
− Моделювання у середовищі MATLAB вихідних характеристик сенсорів газу та порівняльний аналіз сенсорів, розроблених на основі різних напівпровідникових матеріалів.
У першому розділі розглянуто принцип роботи, застосування та класифікація сенсорів газу. Проаналізовано властивості напівпровідників.
У другому розділі наведено модернізовану аналітичну модель польового транзистора з урахуванням залежності рухливості від електричного поля.
Вдосконалено модель сенсору газу для врахування особливостей взаємодії з газом для різних напівпровідників.
У третьому розділі проведено моделювання поле-швидкісних, вольт-амперних та сенсорних характеристик. Порівняно сенсори газу на основі різних напівпровідникових матеріалів.
Опис
Ключові слова
оксид галію, польовий транзистор, сенсор газу
Бібліографічний опис
Халус, М. С. Моделювання сенсорів газу на основі оксиду галію : магістерська дис. : 176 Мікро- та наносистемна техніка / Халус Майя Сергіївна. – Київ, 2025. – 70 с.