Моделювання сенсорів газу на основі оксиду галію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТимофєєв, Володимир Іванович
dc.contributor.authorХалус, Майя Сергіївна
dc.date.accessioned2026-01-13T13:37:42Z
dc.date.available2026-01-13T13:37:42Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractОб’єктом дослідження є властивості та характеристики різних напівпровідникових матеріалів у складі польових структур сенсорів газу. Метою даної роботи є дослідження та порівняльний аналіз характеристик напівпровідникових матеріалів, а також модернізація аналітичної моделі для моделювання польових структур сенсорів газу на їх основі. Завданням дослідження є: − Аналіз властивостей напівпровідникових матеріалів та їхніх поле-швидкісних характеристик для застосування у сенсорах газу. − Модернізація аналітичної моделі польового транзистора шляхом врахування польової залежності рухливості, вдосконалення моделі сенсору газу. − Моделювання у середовищі MATLAB вихідних характеристик сенсорів газу та порівняльний аналіз сенсорів, розроблених на основі різних напівпровідникових матеріалів. У першому розділі розглянуто принцип роботи, застосування та класифікація сенсорів газу. Проаналізовано властивості напівпровідників. У другому розділі наведено модернізовану аналітичну модель польового транзистора з урахуванням залежності рухливості від електричного поля. Вдосконалено модель сенсору газу для врахування особливостей взаємодії з газом для різних напівпровідників. У третьому розділі проведено моделювання поле-швидкісних, вольт-амперних та сенсорних характеристик. Порівняно сенсори газу на основі різних напівпровідникових матеріалів.
dc.description.abstractotherThe object of the study is the properties and characteristics of various semiconductor materials in the composition of field structures of gas sensors. The purpose of this work is to study and comparative analysis of the characteristics of semiconductor materials, as well as modernization of the analytical model for modeling field structures of gas sensors based on them. The objectives of the study are: − Analysis of the properties of semiconductor materials and their field-velocity characteristics for use in gas sensors. − Modernization of the analytical model of a field-effect transistor by taking into account the field dependence of mobility, improvement of the gas sensor model. − Modeling in the MATLAB environment of the output characteristics of gas sensors and comparative analysis of sensors developed based on various semiconductor materials. The first section considers the principle of operation, application and classification of gas sensors. The properties of semiconductors are analyzed. In the second section, the analytical model of a field-effect transistor is modernized taking into account the dependence of mobility on the electric field. The gas sensor model has been improved to take into account the peculiarities of interaction with gas for different semiconductors. In the third section, the field-velocity, current-voltage and sensor characteristics have been simulated. Gas sensors with different semiconductors have been compared.
dc.format.extent70 с.
dc.identifier.citationХалус, М. С. Моделювання сенсорів газу на основі оксиду галію : магістерська дис. : 176 Мікро- та наносистемна техніка / Халус Майя Сергіївна. – Київ, 2025. – 70 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/78094
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectоксид галію
dc.subjectпольовий транзистор
dc.subjectсенсор газу
dc.titleМоделювання сенсорів газу на основі оксиду галію
dc.typeMaster Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Khalus_magistr.pdf
Розмір:
3.36 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (ЕІ)
Магістерські роботи