Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів магнію
Вантажиться...
Дата
2019-06
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Роботу викладено на 57 сторінках, вона містить 4 розділи, 28 ілюстрацій, 2 таблиці та 16 джерел в переліку посилань.
Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів магнію.
Предмет роботи – профіль розподілу імплантованої домішки, профіль розподілу дефектів, вольт-амперні характеристики фоточутливого елементу.
Метою даної роботи є створення фоточутливого елементу на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення його технологічного маршруту.
У першому інформаційно-аналітичному розділі роботи коротко надано відомості про сенсори на основі InSb.
У другому розділі викладена інформація про основні процеси технологічного маршруту.
У третьому розділі описано конструкцію та технологічний маршрут виготовлення фотодіода.
У четвертому розділі викладені результати моделювання профілів розподілу на програмному забезпечені SRIM, досліджень профілів розподілу та ВАХ.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Кульбачинський, О. А. Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів магнію : дипломна робота … бакалавра : 6.050801 Мікро- та наноелектроніка / Кульбачинський Олександр Анатолійович. – Київ, 2019. – 59 с.