Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів магнію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorКоролевич, Любомир Миколайович
dc.contributor.authorКульбачинський, Олександр Анатолійович
dc.date.accessioned2019-08-22T15:32:04Z
dc.date.available2019-08-22T15:32:04Z
dc.date.issued2019-06
dc.description.abstractenThe work is described on page 57, it contains 4 sections, 28 illustrations, 2 tables and 16 sources in the list of references. The subject of the study was a photosensitive element based on InSb formed with the implantation of magnesium ions. Subject of work - profile distribution of implanted impurities, profile of distribution of defects, volt-ampere characteristics of the photosensitive element. The purpose of this work is to create a photo-sensitive element based on n-InSb, which operates at 77 K, and to improve its technological route. In the first information-analytical section of the work, brief information is provided on InSb-based sensors. The second section describes the main processes of the technological route. The third section describes the design and technological route for the production of a photodiode. In the fourth section, the results of modeling distribution profiles on software SRIM, distribution profile analysis and VAC are outlined.uk
dc.description.abstractukРоботу викладено на 57 сторінках, вона містить 4 розділи, 28 ілюстрацій, 2 таблиці та 16 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів магнію. Предмет роботи – профіль розподілу імплантованої домішки, профіль розподілу дефектів, вольт-амперні характеристики фоточутливого елементу. Метою даної роботи є створення фоточутливого елементу на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення його технологічного маршруту. У першому інформаційно-аналітичному розділі роботи коротко надано відомості про сенсори на основі InSb. У другому розділі викладена інформація про основні процеси технологічного маршруту. У третьому розділі описано конструкцію та технологічний маршрут виготовлення фотодіода. У четвертому розділі викладені результати моделювання профілів розподілу на програмному забезпечені SRIM, досліджень профілів розподілу та ВАХ.uk
dc.format.page59 с.uk
dc.identifier.citationКульбачинський, О. А. Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів магнію : дипломна робота … бакалавра : 6.050801 Мікро- та наноелектроніка / Кульбачинський Олександр Анатолійович. – Київ, 2019. – 59 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/28851
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.titleФотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів магніюuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Kulbachynskyi_bakalavr.pdf
Розмір:
1.27 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи