Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника

Кичак, В. М.; Слободян, I. В.; Вовк, В. Л.

Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника

Файли

VKPIRR-2020_80_79-84.pdf (619.17 KB)

Дата

2020

Автори

Кичак, В. М.

Слободян, I. В.

Вовк, В. Л.

Видавець

КПІ ім. Ігоря Сікорського

Ключові слова

аморфний напiвпровiдник, халькогенiднi склоподiбнi напiвпровiдники, радiацiйна стiйкiсть, комiрка пам’ятi, доза опромiнення, y – кванти, плiвковий польовий транзистор, перехiд Шотткi, amorphous semiconductor, chalcogenide glassy semiconductors, radiation resistance, memory cell, irradiation dose, y - quanta, film transistor, Schottky junction, аморфный полупроводник, халькогенидние стеклообразние полупроводники, радиационная стойкость, ячейка памяти, доза облучения, y - кванты, пленочный полевой транзистор, переход Шоттки

Бібліографічний опис

Кичак, В. М. Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника / Кичак В. М., Слободян I. В., Вовк В. Л. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2020. – Вип. 80. – С. 79-84. – Бібліогр.: 11 назв.