Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКичак, В. М.
dc.contributor.authorСлободян, I. В.
dc.contributor.authorВовк, В. Л.
dc.date.accessioned2022-02-15T15:19:02Z
dc.date.available2022-02-15T15:19:02Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractenA memory cell structure is proposed that uses a Schottky barrier thin film transistor based on an amorphous semiconductor as a junction element, and a chalcogenide glassy semiconductor film as a switching element. A physical storage cell model has been developed. The dependence of the transistor and memory cell parameters on the dose of neutron flux and y - quanta was investigated. It is shown that when the dose of neutron irradiation is changed, the steepness of the drain-gate characteristic (DGC) decreases by 10% at a dose of the order of 1015 n/s, at the same time, the transfer coefficient of the bipolar n − p − n transistor decreases by 20% already at doses of 1013 n/s, indicating a significant increase in the radiation resistance of the proposed memory cell. In the case of irradiation with y - quanta in the range up to 2.6 Mrad, the steepness of the DGC of the proposed structure changes by only 10%. When used as an isolation element, a field-effect transistor with an insulated gate, the slope of the DGC is reduced by 50%, that it is bad result. It is shown that the current of recording information of the proposed structure when changing the dose of y - quantum flux to 2.6 Mrad changes by about 10%, at the same time, in the case of using a field-effect transistor with an isolated cover, the information recording current changes by 50%. The study of the dependence of the gate current on the dose of y – quanta is showed. When the radiation dose changes from 0 to 2.6 Mrad, the gate current changes only by 10%, which indicates the high resistance of the proposed structure to the action of permeable radiation.uk
dc.description.abstractruПредложена структура ячейки памяти, в которой как элемент развязки, используется тонкопленочный полевой транзистор с барьером Шоттки на основе аморфного полупроводника, а как переключающий элемент - пленка халькогенидного стеклообразного полупроводника. Разработана физическая модель ячейки памяти. Проведено исследование зависимости параметров транзистора и ячейки памяти от дозы облучения потоком нейтронов и y - квантов. Показано, что при изменении дозы облучения потоком нейтронов крутизна сток-затворной характеристики (СЗХ) уменьшается на 10% при дозах порядка 1015 н/с, в то же время коэффициент передачи биполярного n−p−n транзистора уменьшается на 20% уже при дозах 1013 н/c, что свидетельствует о значительном повышении радиационной стойкости предложенной ячейки памяти. При облучении y - квантами в диапазоне до 2,6 Мрад крутизна СЗХ предложенной структуры меняется лишь на 10%. В случае использования, как элемента развязки, полевого транзистора с изолированным затвором, крутизна СЗХ уменьшается на 50%. Показано, что ток записи информации предложенной структуры при изменении дозы потока y - квантов до 2,6 Мрад изменяется примерно на 10%, в то же время, в случае применения полевого транзистора с изолированным затвором, ток записи информации меняется на 50%. Показано зависимость тока затвора от дозы облучения y - квантами. При изменении дозы облучения от 0 до 2,6 Мрад ток затвора меняется лишь на 10%, что свидетельствует о высокой устойчивости предложенной структуры к действию проникающей радиации.uk
dc.description.abstractukЗапропоновано структуру комiрки пам’ятi, в якiй як елемент розв’язки, використовується тонкоплiвковий польовий транзистор (ТПТ) з бар’єром Шотткi на базi аморфного напiвпровiдника (АН), а як перемикаючий елемент - плiвка халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника. Розроблена фiзична модель комiрки пам’ятi. Проведено дослiдження залежностi параметрiв транзистора та комiрки пам’ятi вiд дози опромiнення потоком нейтронiв та y – квантiв. Показано, що при змiнi дози опромiнення потоком нейтронiв крутiсть стiк-заслiнної характеристики (СЗХ) зменшується на 10% при дозах порядку 1015 н/с, в той же час коефiцiєнт передачi бiполярного n−p−n транзистора зменшується на 20% вже при дозах 1013 н/c, що свiдчить про значне пiдвищення радiацiйної стiйкостi запропонованої комiрки пам’ятi. При опромiненнi y – квантами в дiапазонi до 2,6 Мрад крутiсть СЗХ запропонованої структури змiнюється лише на 10%. У випадку використання, як елемента розв’язки - ТПТ з iзольованим заслоном, крутiсть СЗХ зменшується на 50%. Показано, що струм запису iнформацiї запропонованої структури при змiнi дози потоку y – квантiв до 2,6 Мрад змiнюється приблизно на 10%, в той же час, у випадку застосування ТПТ з iзольованим заслоном, струм запису iнформацiї змiнюється на 50%. Проведене дослiдження залежностi струму заслону вiд дози опромiнення y–квантами. При змiнi дози опромiнення вiд 0 до 2,6 Мрад струм заслону змiнюється лише на 10%, що свiдчить про високу стiйкiсть запропонованої структури до дiї проникної радiацiї.uk
dc.format.pagerangeС. 79-84uk
dc.identifier.citationКичак, В. М. Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника / Кичак В. М., Слободян I. В., Вовк В. Л. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2020. – Вип. 80. – С. 79-84. – Бібліогр.: 11 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/RADAP.2020.80.79-84
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/46503
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 80uk
dc.subjectаморфний напiвпровiдникuk
dc.subjectхалькогенiднi склоподiбнi напiвпровiдникиuk
dc.subjectрадiацiйна стiйкiстьuk
dc.subjectкомiрка пам’ятiuk
dc.subjectдоза опромiненняuk
dc.subjecty – квантиuk
dc.subjectплiвковий польовий транзисторuk
dc.subjectперехiд Шотткiuk
dc.subjectamorphous semiconductoruk
dc.subjectchalcogenide glassy semiconductorsuk
dc.subjectradiation resistanceuk
dc.subjectmemory celluk
dc.subjectirradiation doseuk
dc.subjecty - quantauk
dc.subjectfilm transistoruk
dc.subjectSchottky junctionuk
dc.subjectаморфный полупроводникuk
dc.subjectхалькогенидние стеклообразние полупроводникиuk
dc.subjectрадиационная стойкостьuk
dc.subjectячейка памятиuk
dc.subjectдоза облученияuk
dc.subjecty - квантыuk
dc.subjectпленочный полевой транзисторuk
dc.subjectпереход Шотткиuk
dc.subject.udc621.3.04977.001uk
dc.titleРадiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдникаuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
VKPIRR-2020_80_79-84.pdf
Розмір:
619.17 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.01 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 80